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BZD17C75P-GS18

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BZD17C75P-GS18 技術參數
  • BZD17C75P-E3-18 功能描述:Zener Diode 75V 800mW Surface Mount DO-219AB (SMF) 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態:有效 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):75V 容差:- 功率 - 最大值:800mW 阻抗(最大值)(Zzt):- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:1μA @ 56V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.2V @ 200mA 工作溫度:-55°C ~ 150°C 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:DO-219AB 供應商器件封裝:DO-219AB(SMF) 標準包裝:10,000 BZD17C75P-E3-08 功能描述:Zener Diode 75V 800mW Surface Mount DO-219AB (SMF) 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態:有效 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):75V 容差:- 功率 - 最大值:800mW 阻抗(最大值)(Zzt):- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:1μA @ 56V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.2V @ 200mA 工作溫度:-55°C ~ 150°C 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:DO-219AB 供應商器件封裝:DO-219AB(SMF) 標準包裝:3,000 BZD17C75P RVG 功能描述:DIODE ZENER 75V 800MW SUB SMA 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態:在售 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):75V 容差:±6% 功率 - 最大值:800mW 阻抗(最大值)(Zzt):100 Ohms 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:1μA @ 56V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf:1.2V @ 200mA 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:DO-219AB 供應商器件封裝:Sub SMA 標準包裝:3,000 BZD17C75P RUG 功能描述:DIODE ZENER 75V 800MW SUB SMA 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態:在售 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):75V 容差:±6% 功率 - 最大值:800mW 阻抗(最大值)(Zzt):100 Ohms 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:1μA @ 56V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf:1.2V @ 200mA 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:DO-219AB 供應商器件封裝:Sub SMA 標準包裝:1,800 BZD17C75P RTG 功能描述:DIODE ZENER 75V 800MW SUB SMA 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態:在售 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):75V 容差:±6% 功率 - 最大值:800mW 阻抗(最大值)(Zzt):100 Ohms 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:1μA @ 56V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf:1.2V @ 200mA 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:DO-219AB 供應商器件封裝:Sub SMA 標準包裝:7,500 BZD17C9V1P-E3-18 BZD27B100P-E3-08 BZD27B100P-E3-18 BZD27B100P-HE3-08 BZD27B100P-HE3-18 BZD27B100P-M3-08 BZD27B100P-M3-18 BZD27B10P-E3-08 BZD27B10P-E3-18 BZD27B10P-HE3-08 BZD27B10P-HE3-18 BZD27B10P-M3-08 BZD27B10P-M3-18 BZD27B110P-E3-08 BZD27B110P-E3-18 BZD27B110P-HE3-08 BZD27B110P-HE3-18 BZD27B110P-M3-08
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