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BZD1OC51

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BZD1OC51 技術參數

BZD17C9V1P-E3-18 功能描述:Zener Diode 9.1V 800mW Surface Mount DO-219AB (SMF) 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態:有效電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:9.1V 容差:- 功率 - 最大值:800mW 阻抗（最大值）（Zzt）:- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10μA @ 5V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.2V @ 200mA 工作溫度:-55°C ~ 150°C 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:DO-219AB 供應商器件封裝:DO-219AB（SMF）標準包裝:10,000 BZD17C9V1P-E3-08 功能描述:Zener Diode 9.1V 800mW Surface Mount DO-219AB (SMF) 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態:有效電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:9.1V 容差:- 功率 - 最大值:800mW 阻抗（最大值）（Zzt）:- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10μA @ 5V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.2V @ 200mA 工作溫度:-55°C ~ 150°C 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:DO-219AB 供應商器件封裝:DO-219AB（SMF）標準包裝:3,000 BZD17C91P-E3-18 功能描述:Zener Diode 91V 800mW Surface Mount DO-219AB (SMF) 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態:有效電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:91V 容差:- 功率 - 最大值:800mW 阻抗（最大值）（Zzt）:- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:1μA @ 68V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.2V @ 200mA 工作溫度:-55°C ~ 150°C 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:DO-219AB 供應商器件封裝:DO-219AB（SMF）標準包裝:10,000 BZD17C91P-E3-08 功能描述:Zener Diode 91V 800mW Surface Mount DO-219AB (SMF) 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態:有效電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:91V 容差:- 功率 - 最大值:800mW 阻抗（最大值）（Zzt）:- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:1μA @ 68V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.2V @ 200mA 工作溫度:-55°C ~ 150°C 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:DO-219AB 供應商器件封裝:DO-219AB（SMF）標準包裝:3,000 BZD17C8V2P-E3-18 功能描述:Zener Diode 8.2V 800mW Surface Mount DO-219AB (SMF) 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態:有效電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:8.2V 容差:- 功率 - 最大值:800mW 阻抗（最大值）（Zzt）:- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10μA @ 3V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.2V @ 200mA 工作溫度:-55°C ~ 150°C 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:DO-219AB 供應商器件封裝:DO-219AB（SMF）標準包裝:10,000 BZD27B10P-HE3-18 BZD27B10P-M3-08 BZD27B10P-M3-18 BZD27B110P-E3-08 BZD27B110P-E3-18 BZD27B110P-HE3-08 BZD27B110P-HE3-18 BZD27B110P-M3-08 BZD27B110P-M3-18 BZD27B11P-E3-08 BZD27B11P-E3-18 BZD27B11P-HE3-08 BZD27B11P-HE3-18 BZD27B11P-M3-08 BZD27B11P-M3-18 BZD27B120P-E3-08 BZD27B120P-E3-18 BZD27B120P-HE3-08