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BZD27C3V6P/GS08

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BZD27C3V6P/GS08 技術參數
  • BZD27C39PWHRVG 功能描述:DIODE ZENER 39V 1W SOD123W 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:汽車級,AEC-Q101 包裝:帶卷(TR) 零件狀態:在售 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):39V 容差:±5% 功率 - 最大值:1W 阻抗(最大值)(Zzt):40 Ohms 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:1μA @ 30V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf:1V @ 200mA 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SOD-123W 供應商器件封裝:SOD123W 標準包裝:3,000 BZD27C39PW RVG 功能描述:DIODE ZENER 39V 1W SOD123W 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態:在售 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):39V 容差:±5% 功率 - 最大值:1W 阻抗(最大值)(Zzt):40 Ohms 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:1μA @ 30V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf:1V @ 200mA 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SOD-123W 供應商器件封裝:SOD123W 標準包裝:3,000 BZD27C39P-M3-18 功能描述:Zener Diode 39V 800mW Surface Mount DO-219AB (SMF) 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:汽車級,AEC-Q101 包裝:帶卷(TR) 零件狀態:有效 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):39V 容差:- 功率 - 最大值:800mW 阻抗(最大值)(Zzt):40 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:1μA @ 30V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):- 工作溫度:-55°C ~ 150°C 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:DO-219AB 供應商器件封裝:DO-219AB(SMF) 標準包裝:10,000 BZD27C39P-M3-08 功能描述:DIODE ZENER 800MW SMF DO219-M3 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:汽車級,AEC-Q101,BZD27C-M 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:在售 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):39V 容差:- 功率 - 最大值:800mW 阻抗(最大值)(Zzt):40 Ohms 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:1μA @ 30V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf:1.2V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:DO-219AB 供應商器件封裝:DO-219AB(SMF) 標準包裝:1 BZD27C39P-M-18 功能描述:Zener Diode 39V 800mW Surface Mount DO-219AB (SMF) 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:汽車級,AEC-Q101 包裝:帶卷(TR) 零件狀態:有效 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):39V 容差:- 功率 - 最大值:800mW 阻抗(最大值)(Zzt):40 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:1μA @ 30V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):- 工作溫度:-55°C ~ 150°C 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:DO-219AB 供應商器件封裝:DO-219AB(SMF) 標準包裝:10,000 BZD27C3V9P-E3-18 BZD27C3V9P-HE3-08 BZD27C3V9P-HE3-18 BZD27C3V9P-M-08 BZD27C3V9P-M-18 BZD27C3V9P-M3-08 BZD27C3V9P-M3-18 BZD27C43P M2G BZD27C43P MHG BZD27C43P MQG BZD27C43P MTG BZD27C43P R3G BZD27C43P RFG BZD27C43P RHG BZD27C43P RQG BZD27C43P RTG BZD27C43P RUG BZD27C43P RVG
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