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BZT033C68TAP

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BZT033C68TAP PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準

BZT033C68TAP 技術(shù)參數(shù)

BZS55C9V1 RXG 功能描述:DIODE ZENER 9.1V 500MW 1206 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):在售電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:9.1V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:10 Ohms 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 6.8V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf:1.5V @ 10mA 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:1206（3216 公制）供應(yīng)商器件封裝:1206 標準包裝:5,000 BZS55C8V2 RXG 功能描述:DIODE ZENER 8.2V 500MW 1206 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):在售電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:8.2V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:7 Ohms 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 6.2V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf:1.5V @ 10mA 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:1206（3216 公制）供應(yīng)商器件封裝:1206 標準包裝:5,000 BZS55C7V5 RXG 功能描述:DIODE ZENER 7.5V 500MW 1206 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):在售電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:7.5V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:7 Ohms 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 5V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf:1.5V @ 10mA 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:1206（3216 公制）供應(yīng)商器件封裝:1206 標準包裝:5,000 BZS55C6V8 RXG 功能描述:DIODE ZENER 6.8V 500MW 1206 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):在售電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:6.8V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:8 Ohms 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 3V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf:1.5V @ 10mA 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:1206（3216 公制）供應(yīng)商器件封裝:1206 標準包裝:5,000 BZS55C6V2 RXG 功能描述:DIODE ZENER 6.2V 500MW 1206 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):在售電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:6.2V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:10 Ohms 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 2V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf:1.5V @ 10mA 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:1206（3216 公制）供應(yīng)商器件封裝:1206 標準包裝:5,000 BZT03C120-TR BZT03C12-TAP BZT03C12-TR BZT03C130-TAP BZT03C130-TR BZT03C13-TAP BZT03C13-TR BZT03C150-TAP BZT03C150-TR BZT03C15-TAP BZT03C15-TR BZT03C160-TAP BZT03C160-TR BZT03C16-TAP BZT03C16-TR BZT03C180-TAP BZT03C180-TR BZT03C18-TAP