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BZT52B30-V

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制造商
VISHAY
制造商全稱
Vishay Siliconix
功能描述
Small Signal Zener Diodes

BZT52B30-V 技術參數

BZT52B30-TP 功能描述:DIODE ZENER 30V 410MW SOD123 制造商:micro commercial co 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態:在售電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:30V 容差:±2% 功率 - 最大值:410mW 阻抗（最大值）（Zzt）:80 Ohms 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 22.5V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf:900mV @ 10mA 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SOD-123 供應商器件封裝:SOD-123 標準包裝:3,000 BZT52B30S RRG 功能描述:DIODE ZENER 30V 200MW SOD323F 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態:在售電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:30V 容差:±2% 功率 - 最大值:200mW 阻抗（最大值）（Zzt）:80 Ohms 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:45nA @ 21V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf:1V @ 10mA 工作溫度:-65°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SC-90，SOD-323F 供應商器件封裝:SOD-323F 標準包裝:3,000 BZT52B30-HE3-18 功能描述:Zener Diode 30V 410mW ±2% Surface Mount SOD-123 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:汽車級，AEC-Q101 包裝:帶卷（TR）零件狀態:有效電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:30V 容差:±2% 功率 - 最大值:410mW 阻抗（最大值）（Zzt）:35 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 22.5V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:- 工作溫度:-55°C ~ 150°C 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SOD-123 供應商器件封裝:SOD-123 標準包裝:10,000 BZT52B30-HE3-08 功能描述:Zener Diode 30V 410mW ±2% Surface Mount SOD-123 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:汽車級，AEC-Q101 包裝:帶卷（TR）零件狀態:有效電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:30V 容差:±2% 功率 - 最大值:410mW 阻抗（最大值）（Zzt）:35 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 22.5V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:- 工作溫度:-55°C ~ 150°C 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SOD-123 供應商器件封裝:SOD-123 標準包裝:3,000 BZT52B30-G3-18 功能描述:Zener Diode 30V 410mW ±2% Surface Mount SOD-123 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:汽車級，AEC-Q101 包裝:帶卷（TR）零件狀態:有效電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:30V 容差:±2% 功率 - 最大值:410mW 阻抗（最大值）（Zzt）:35 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 22.5V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:- 工作溫度:-55°C ~ 150°C 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SOD-123 供應商器件封裝:SOD-123 標準包裝:10,000 BZT52B33-TP BZT52B36 RHG BZT52B36-E3-08 BZT52B36-E3-18 BZT52B36-G RHG BZT52B36-G3-08 BZT52B36-G3-18 BZT52B36-HE3-08 BZT52B36-HE3-18 BZT52B36S RRG BZT52B36-TP BZT52B39 RHG BZT52B39-E3-08 BZT52B39-E3-18 BZT52B39-G RHG BZT52B39-G3-08 BZT52B39-G3-18 BZT52B39-HE3-08