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BZT52C5V6S=W9

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BZT52C5V6S=W9 技術參數
  • BZT52C5V6S RRG 功能描述:DIODE ZENER 5.6V 200MW SOD323F 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態:在售 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):5.6V 容差:±5% 功率 - 最大值:200mW 阻抗(最大值)(Zzt):40 Ohms 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:900nA @ 2V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf:1V @ 10mA 工作溫度:-65°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-90,SOD-323F 供應商器件封裝:SOD-323F 標準包裝:3,000 BZT52C5V6LP-TP 功能描述:Zener Diode 5.6V 250mW ±7% Surface Mount SOD-882 制造商:micro commercial co 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:有效 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):5.6V 容差:±7% 功率 - 最大值:250mW 阻抗(最大值)(Zzt):40 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:1μA @ 2V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):900mV @ 10mA 工作溫度:-65°C ~ 150°C 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SOD-882 供應商器件封裝:SOD-882 標準包裝:1 BZT52C5V6LP-7 功能描述:Zener Diode 5.6V 250mW ±7% Surface Mount 2-DFN1006 (1.0x0.6) 制造商:diodes incorporated 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:有效 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):5.6V 容差:±7% 功率 - 最大值:250mW 阻抗(最大值)(Zzt):40 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:1μA @ 2V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):900mV @ 10mA 工作溫度:-65°C ~ 150°C 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:2-UFDFN 供應商器件封裝:2-DFN1006(1.0x0.6) 標準包裝:1 BZT52C5V6K RKG 功能描述:DIODE ZENER 5.6V 200MW SOD523F 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態:在售 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):5.6V 容差:±5% 功率 - 最大值:200mW 阻抗(最大值)(Zzt):40 Ohms 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:1μA @ 2.5V 工作溫度:-65°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-79,SOD-523 供應商器件封裝:SOD-523F 標準包裝:3,000 BZT52-C5V6J 功能描述:DIODE ZENER 5.6V 350MW SOD123 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽車級,AEC-Q101 包裝:帶卷(TR) 零件狀態:在售 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):5.6V 容差:±7.1% 功率 - 最大值:350mW 阻抗(最大值)(Zzt):40 Ohms 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:1μA @ 2V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf:900mV @ 10mA 工作溫度:-55°C ~ 150°C 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SOD-123 供應商器件封裝:SOD-123 標準包裝:10,000 BZT52C62-E3-18 BZT52C62-G3-08 BZT52C62-G3-18 BZT52C62-HE3-08 BZT52C62-HE3-18 BZT52-C62J BZT52C62K RKG BZT52C62S RRG BZT52-C62X BZT52C68 RHG BZT52C68-E3-08 BZT52C68-E3-18 BZT52C68-G3-08 BZT52C68-G3-18 BZT52C68-HE3-08 BZT52C68-HE3-18 BZT52-C68J BZT52C68K RKG
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