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BZT55C3V9GS18

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BZT55C3V9GS18 技術參數
  • BZT55C3V9-GS08 功能描述:Zener Diode 3.9V 500mW ±5% Surface Mount SOD-80 QuadroMELF 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:汽車級,AEC-Q101 包裝:帶卷(TR) 零件狀態:有效 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):3.9V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):90 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:2μA @ 1V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.5V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SOD-80 變式 供應商器件封裝:SOD-80 QuadroMELF 標準包裝:2,500 BZT55C3V9 L1G 功能描述:DIODE ZENER 3.9V 500MW MINI MELF 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態:在售 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):3.9V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):85 Ohms 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:2μA @ 1V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf:1V @ 10mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80 供應商器件封裝:迷你型 MELF 標準包裝:2,500 BZT55C3V9 L0G 功能描述:DIODE ZENER 3.9V 500MW MINI MELF 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態:在售 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):3.9V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):85 Ohms 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:2μA @ 1V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf:1V @ 10mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80 供應商器件封裝:迷你型 MELF 標準包裝:10,000 BZT55C3V6-GS18 功能描述:Zener Diode 3.6V 500mW ±5% Surface Mount SOD-80 QuadroMELF 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:汽車級,AEC-Q101 包裝:帶卷(TR) 零件狀態:有效 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):3.6V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):90 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:2μA @ 1V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.5V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SOD-80 變式 供應商器件封裝:SOD-80 QuadroMELF 標準包裝:10,000 BZT55C3V6-GS08 功能描述:DIODE ZENER 3.6V 500MW SOD80 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:汽車級,AEC-Q101 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:在售 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):3.6V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):90 Ohms 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:2μA @ 1V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf:1.5V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SOD-80 變式 供應商器件封裝:SOD-80 QuadroMELF 標準包裝:1 BZT55C4V3 L0G BZT55C4V3 L1G BZT55C4V3-GS08 BZT55C4V3-GS18 BZT55C4V7 L0G BZT55C4V7 L1G BZT55C4V7-GS08 BZT55C4V7-GS18 BZT55C51 L0G BZT55C51 L1G BZT55C51-GS08 BZT55C51-GS18 BZT55C56 L0G BZT55C56 L1G BZT55C56-GS08 BZT55C56-GS18 BZT55C5V1 L0G BZT55C5V1 L1G
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