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BZT55C8V2VISHAY

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BZT55C8V2VISHAY 技術參數
  • BZT55C8V2-GS18 功能描述:Zener Diode 8.2V 500mW ±5% Surface Mount SOD-80 QuadroMELF 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:汽車級，AEC-Q101 包裝:帶卷（TR） 零件狀態:有效 電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:8.2V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:7 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 6.2V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.5V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SOD-80 變式 供應商器件封裝:SOD-80 QuadroMELF 標準包裝:10,000 BZT55C8V2-GS08 功能描述:Zener Diode 8.2V 500mW ±5% Surface Mount SOD-80 QuadroMELF 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:汽車級，AEC-Q101 包裝:帶卷（TR） 零件狀態:有效 電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:8.2V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:7 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 6.2V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.5V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SOD-80 變式 供應商器件封裝:SOD-80 QuadroMELF 標準包裝:2,500 BZT55C8V2 L1G 功能描述:DIODE ZENER 8.2V 500MW MINI MELF 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態:在售 電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:8.2V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:7 Ohms 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 6.2V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf:1V @ 10mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80 供應商器件封裝:迷你型 MELF 標準包裝:2,500 BZT55C8V2 L0G 功能描述:DIODE ZENER 8.2V 500MW MINI MELF 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態:在售 電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:8.2V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:7 Ohms 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 6.2V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf:1V @ 10mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80 供應商器件封裝:迷你型 MELF 標準包裝:10,000 BZT55C7V5-GS18 功能描述:Zener Diode 7.5V 500mW ±5% Surface Mount SOD-80 QuadroMELF 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:汽車級，AEC-Q101 包裝:帶卷（TR） 零件狀態:有效 電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:7.5V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:7 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 5V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.5V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SOD-80 變式 供應商器件封裝:SOD-80 QuadroMELF 標準包裝:10,000 BZT585B16T-7 BZT585B18T-7 BZT585B20T-7 BZT585B22T-7 BZT585B24T-7 BZT585B27T-7 BZT585B2V4T-7 BZT585B2V7T-7 BZT585B30T-7 BZT585B33T-7 BZT585B36T-7 BZT585B39T-7 BZT585B3V3T-7 BZT585B3V6T-7 BZT585B3V9T-7 BZT585B43T-7 BZT585B4V3T-7 BZT585B4V7T-7
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