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BZV55-B18T/R

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BZV55-B18T/R 技術參數

BZV55-B18,115 功能描述:DIODE ZENER 18V 500MW SOD80C 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:在售電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:18V 容差:±2% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:45 Ohms 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:50nA @ 12.6V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf:900mV @ 10mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80 供應商器件封裝:SOD-80C 基本零件編號:BZV55-B18 標準包裝:1 BZV55B18 L1G 功能描述:DIODE ZENER 18V 500MW MINI MELF 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態:在售電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:18V 容差:±2% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:50 Ohms 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 13V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf:1V @ 100mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80 供應商器件封裝:迷你型 MELF 標準包裝:2,500 BZV55B18 L0G 功能描述:DIODE ZENER 18V 500MW MINI MELF 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態:在售電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:18V 容差:±2% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:50 Ohms 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 13V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf:1V @ 100mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80 供應商器件封裝:迷你型 MELF 標準包裝:10,000 BZV55-B16,115 功能描述:DIODE ZENER 16V 500MW SOD80C 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:在售電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:16V 容差:±2% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:40 Ohms 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:50nA @ 11.2V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf:900mV @ 10mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80 供應商器件封裝:SOD-80C 基本零件編號:BZV55-B16 標準包裝:1 BZV55B16 L1G 功能描述:DIODE ZENER 16V 500MW MINI MELF 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態:在售電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:16V 容差:±2% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:40 Ohms 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 12V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf:1V @ 100mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80 供應商器件封裝:迷你型 MELF 標準包裝:2,500 BZV55B24 L1G BZV55-B24,115 BZV55B27 L0G BZV55B27 L1G BZV55-B27,115 BZV55B2V4 L0G BZV55B2V4 L1G BZV55-B2V4,115 BZV55B2V7 L0G BZV55B2V7 L1G BZV55-B2V7,115 BZV55B30 L0G BZV55B30 L1G BZV55-B30,115 BZV55B33 L0G BZV55B33 L1G BZV55-B33,115 BZV55B36 L0G