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BZV55-C56.

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BZV55-C56. PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準

BZV55-C56. PDF下載

制造商
NXP Semiconductors
功能描述
DIODE ZENER 500MW 56V

BZV55-C56. 技術參數

BZV55-C56,115 功能描述:DIODE ZENER 56V 500MW SOD80C 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:在售電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:56V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:200 Ohms 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:50nA @ 39.2V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf:900mV @ 10mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80 供應商器件封裝:SOD-80C 標準包裝:1 BZV55C56 L1G 功能描述:DIODE ZENER 56V 500MW MINI MELF 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態:在售電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:56V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:135 Ohms 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 42V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf:1V @ 10mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80 供應商器件封裝:迷你型 MELF 標準包裝:2,500 BZV55C56 L0G 功能描述:DIODE ZENER 56V 500MW MINI MELF 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態:在售電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:56V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:135 Ohms 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 42V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf:1V @ 10mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80 供應商器件封裝:迷你型 MELF 標準包裝:10,000 BZV55C56 功能描述:Zener Diode 56V ±7% Surface Mount DO-213AA 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:56V 容差:±7% 功率 - 最大值:- 阻抗（最大值）（Zzt）:- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:50nA @ 39.2V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:DO-213AA（玻璃）供應商器件封裝:DO-213AA 標準包裝:1 BZV55-C51,135 功能描述:Zener Diode 51V 500mW ±5% Surface Mount SOD-80C 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態:有效電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:51V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:180 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:50nA @ 35.7V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:900mV @ 10mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80 供應商器件封裝:SOD-80C 標準包裝:10,000 BZV55-C5V6,115 BZV55-C5V6,135 BZV55C5V6-TP BZV55C62 BZV55C62 L0G BZV55C62 L1G BZV55-C62,115 BZV55-C62,135 BZV55C68 BZV55C68 L0G BZV55C68 L1G BZV55-C68,115 BZV55-C68,135 BZV55C6V2 BZV55C6V2 L0G BZV55C6V2 L1G BZV55-C6V2,115 BZV55-C6V2,135