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BZV55C13TR

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BZV55C13TR 技術參數
  • BZV55C13-TP 功能描述:Zener Diode 13V 500mW ±6% Surface Mount Mini MELF 制造商:micro commercial co 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:有效 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):13V 容差:±6% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):26 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 10V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.5V @ 200mA 工作溫度:-55°C ~ 150°C 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80 供應商器件封裝:迷你型 MELF 標準包裝:1 BZV55-C13,135 功能描述:Zener Diode 13V 500mW ±5% Surface Mount SOD-80C 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態:有效 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):13V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):30 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 8V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):900mV @ 10mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80 供應商器件封裝:SOD-80C 標準包裝:10,000 BZV55-C13,115 功能描述:DIODE ZENER 13V 500MW SOD80C 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:在售 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):13V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):30 Ohms 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 8V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf:900mV @ 10mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80 供應商器件封裝:SOD-80C 基本零件編號:BZV55C13 標準包裝:1 BZV55C13 L1G 功能描述:DIODE ZENER 13V 500MW MINI MELF 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態:在售 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):13V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):26 Ohms 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 10V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf:1V @ 10mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80 供應商器件封裝:迷你型 MELF 標準包裝:2,500 BZV55C13 L0G 功能描述:DIODE ZENER 13V 500MW MINI MELF 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態:在售 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):13V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):26 Ohms 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 10V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf:1V @ 10mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80 供應商器件封裝:迷你型 MELF 標準包裝:10,000 BZV55-C16,115 BZV55-C16,135 BZV55C16-TP BZV55C18 L0G BZV55C18 L1G BZV55-C18,115 BZV55-C18,135 BZV55C18-TP BZV55C20 BZV55C20 L0G BZV55C20 L1G BZV55-C20,115 BZV55-C20,135 BZV55C20-TP BZV55C22 BZV55C22 L0G BZV55C22 L1G BZV55-C22,115
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