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BZX55-C10

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BZX55-C10
深圳市晶美隆科技有限公司
深圳市晶美隆科技有限公司
聯系人：李林
電話：0755-8251939113714584659李先生（可開13%增票，3
地址：深圳市福田區華強北電子科技大夏A座36樓C09
資質：營業執照
13620
NXP
DIP
23+
-
只做全新原裝正品現貨

BZX55-C10
深圳市華芯盛世科技有限公司
深圳市華芯盛世科技有限公司
聯系人：唐先生
電話：0755-8322569219129381337（微信同號）
地址：廣東省深圳市福田區上步工業區201棟316室。
8650000
PHILIPS
DO35
最新批號
-
一級代理.原裝特價現貨！

BZX55-C10
北京耐芯威科技有限公司
北京耐芯威科技有限公司
聯系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區中關村大街32號和盛嘉業大廈10層1009室
資質：營業執照
5000
GENERAL SEMICONDUCTOR
原廠封裝
08/09+
-
假一罰十，百分百原裝正品

BZX55-C10/D8
北京耐芯威科技有限公司
北京耐芯威科技有限公司
聯系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區中關村大街32號和盛嘉業大廈10層1009室
資質：營業執照
5000
GENERAL SEMICONDUCTOR
NULL
NULL
-
假一罰十，百分百原裝正品

BZX55-C10
深圳市毅創輝電子科技有限公司
深圳市毅創輝電子科技有限公司
聯系人：何芝
電話：19129491934(手機優先微信同號)0755-82865099
地址：深圳市福田區華強北街道華強北路1016號寶華大廈A座2028室
資質：營業執照
5000
GENERALSEMI
標準封裝
13+
-
全新原裝，現貨，價優！

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制造商
Fairchild Semiconductor Corporation
功能描述
DIODE ZENER 500MW 10V

BZX55-C10 技術參數

BZX55C10 功能描述:Zener Diode 10V 500mW ±5% Through Hole DO-35 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:散裝零件狀態:過期電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:10V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:15 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 7.5V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.3V @ 100mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:1,000 BZX55B9V1-TR 功能描述:Zener Diode 9.1V 500mW ±2% Through Hole DO-35 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:汽車級，AEC-Q101 包裝:帶卷（TR）零件狀態:有效電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:9.1V 容差:±2% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:10 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 6.8V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.5V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:10,000 BZX55B9V1-TAP 功能描述:Zener Diode 9.1V 500mW ±2% Through Hole DO-35 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:汽車級，AEC-Q101 包裝:帶盒（TB）零件狀態:有效電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:9.1V 容差:±2% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:10 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 6.8V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.5V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:10,000 BZX55B9V1 A0G 功能描述:DIODE ZENER 9.1V 500MW DO35 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包裝:帶盒（TB）零件狀態:在售電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:9.1V 容差:±2% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:10 Ohms 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 6.8V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf:1V @ 100mA 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:5,000 BZX55B8V2-TR 功能描述:Zener Diode 8.2V 500mW Through Hole DO-35 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:8.2V 容差:- 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:7 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 6.2V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.5V @ 200mA 工作溫度:175°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:1 BZX55C11_T50R BZX55C11-TAP BZX55C11-TR BZX55C12 BZX55C12 A0G BZX55C12_T26A BZX55C12_T50A BZX55C12_T50R BZX55C12-TAP BZX55C12-TR BZX55C13 BZX55C13 A0G BZX55C13_T50A BZX55C13_T50R BZX55C13-TAP BZX55C13-TR BZX55C15 BZX55C15 A0G