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BZX55A3V9

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BZX55A3V9 PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準

BZX55A3V9 技術參數

BZX55A27-TAP 功能描述:Zener Diode 27V 500mW ±1% Through Hole DO-35 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:汽車級，AEC-Q101 包裝:散裝零件狀態:上次購買時間電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:27V 容差:±1% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:80 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 20V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.5V @ 200mA 工作溫度:175°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:10,000 BZX55A24-TAP 功能描述:Zener Diode 24V 500mW ±1% Through Hole DO-35 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:汽車級，AEC-Q101 包裝:散裝零件狀態:上次購買時間電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:24V 容差:±1% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:80 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 18V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.5V @ 200mA 工作溫度:175°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:10,000 BZX55A22-TAP 功能描述:Zener Diode 22V 500mW ±1% Through Hole DO-35 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:汽車級，AEC-Q101 包裝:散裝零件狀態:上次購買時間電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:22V 容差:±1% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:55 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 16V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.5V @ 200mA 工作溫度:175°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:10,000 BZX55A20-TAP 功能描述:Zener Diode 20V 500mW ±1% Through Hole DO-35 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:汽車級，AEC-Q101 包裝:散裝零件狀態:上次購買時間電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:20V 容差:±1% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:55 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 15V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.5V @ 200mA 工作溫度:175°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:10,000 BZX55A18-TAP 功能描述:Zener Diode 18V 500mW ±1% Through Hole DO-35 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:汽車級，AEC-Q101 包裝:散裝零件狀態:上次購買時間電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:18V 容差:±1% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:50 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 13V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.5V @ 200mA 工作溫度:175°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:10,000 BZX55B10 A0G BZX55B10-TAP BZX55B10-TR BZX55B11 A0G BZX55B11-TAP BZX55B11-TR BZX55B12 A0G BZX55B12-TAP BZX55B12-TR BZX55B13 A0G BZX55B13-TAP BZX55B13-TR BZX55B15 A0G BZX55B15-TAP BZX55B15-TR BZX55B16 A0G BZX55B16-TAP BZX55B16-TR