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BZX55C22ST

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BZX55C22ST 技術參數
  • BZX55C22_T50R 功能描述:Zener Diode 22V 500mW ±6% Through Hole DO-35 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態:過期 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):22V 容差:±6% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):55 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 17V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.3V @ 100mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH,DO-35,軸向 供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:10,000 BZX55C22_T50A 功能描述:Zener Diode 22V 500mW ±6% Through Hole DO-35 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:帶盒(TB) 零件狀態:過期 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):22V 容差:±6% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):55 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 17V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.3V @ 100mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH,DO-35,軸向 供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:5,000 BZX55C22_T26A 功能描述:Zener Diode 22V 500mW ±6% Through Hole DO-35 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:帶盒(TB) 零件狀態:過期 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):22V 容差:±6% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):55 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 17V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.3V @ 100mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH,DO-35,軸向 供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:5,000 BZX55C22 A0G 功能描述:DIODE ZENER 22V 500MW DO35 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包裝:帶盒(TB) 零件狀態:在售 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):22V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):55 Ohms 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 17V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf:1V @ 100mA 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH,DO-35,軸向 供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:5,000 BZX55C22 功能描述:Zener Diode 22V 500mW ±6% Through Hole DO-35 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:過期 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):22V 容差:±6% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):55 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 17V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.3V @ 100mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH,DO-35,軸向 供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:1,000 BZX55C27 A0G BZX55C27-TAP BZX55C27-TR BZX55C2V0 A0G BZX55C2V2 A0G BZX55C2V4 BZX55C2V4 A0G BZX55C2V4_T50A BZX55C2V4_T50R BZX55C2V4-TAP BZX55C2V4-TR BZX55C2V7 BZX55C2V7 A0G BZX55C2V7_T50A BZX55C2V7_T50R BZX55C2V7-TAP BZX55C2V7-TR BZX55C30
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