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BZX55C3V4

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BZX55C3V4 技術(shù)參數(shù)

BZX55C3V3-TR 功能描述:Zener Diode 3.3V 500mW ±6% Through Hole DO-35 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效電壓 - 齊納（標(biāo)稱值）（Vz）:3.3V 容差:±6% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:85 歐姆不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:2μA @ 1V 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf）:1.5V @ 200mA 工作溫度:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應(yīng)商器件封裝:DO-35 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BZX55C3V3-TAP 功能描述:Zener Diode 3.3V 500mW ±5% Through Hole DO-35 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:汽車級，AEC-Q101 包裝:帶盒（TB）零件狀態(tài):有效電壓 - 齊納（標(biāo)稱值）（Vz）:3.3V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:85 歐姆不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:2μA @ 1V 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf）:1.5V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應(yīng)商器件封裝:DO-35 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10,000 BZX55C3V3_T50R 功能描述:Zener Diode 3.3V 500mW ±6% Through Hole DO-35 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):過期電壓 - 齊納（標(biāo)稱值）（Vz）:3.3V 容差:±6% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:85 歐姆不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:2μA @ 1V 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf）:1.3V @ 100mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應(yīng)商器件封裝:DO-35 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10,000 BZX55C3V3_T26A 功能描述:Zener Diode 3.3V 500mW ±6% Through Hole DO-35 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:帶盒（TB）零件狀態(tài):過期電壓 - 齊納（標(biāo)稱值）（Vz）:3.3V 容差:±6% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:85 歐姆不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:2μA @ 1V 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf）:1.3V @ 100mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應(yīng)商器件封裝:DO-35 標(biāo)準(zhǔn)包裝:5,000 BZX55C3V3 A0G 功能描述:DIODE ZENER 3.3V 500MW DO35 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包裝:帶盒（TB）零件狀態(tài):在售電壓 - 齊納（標(biāo)稱值）（Vz）:3.3V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:85 Ohms 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:2μA @ 1V 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf:1V @ 100mA 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應(yīng)商器件封裝:DO-35 標(biāo)準(zhǔn)包裝:5,000 BZX55C3V9-TAP BZX55C3V9-TR BZX55C43 BZX55C43 A0G BZX55C43_T50A BZX55C43_T50R BZX55C43-TAP BZX55C43-TR BZX55C47 BZX55C47 A0G BZX55C47_T50A BZX55C47_T50R BZX55C47-TAP BZX55C47-TR BZX55C4V3 BZX55C4V3 A0G BZX55C4V3_T50A BZX55C4V3_T50R