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BZX55C3V61N4685

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BZX55C3V61N4685 技術參數
  • BZX55C3V6_T50R 功能描述:Zener Diode 3.6V 500mW ±6% Through Hole DO-35 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態:過期 電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:3.6V 容差:±6% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:85 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:2μA @ 1V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.3V @ 100mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向 供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:10,000 BZX55C3V6 A0G 功能描述:DIODE ZENER 3.6V 500MW DO35 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包裝:帶盒（TB） 零件狀態:在售 電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:3.6V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:85 Ohms 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:2μA @ 1V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf:1V @ 100mA 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向 供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:5,000 BZX55C3V6 功能描述:Zener Diode 3.6V 500mW ±6% Through Hole DO-35 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:過期 電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:3.6V 容差:±6% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:85 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:2μA @ 1V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.3V @ 100mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向 供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:1,000 BZX55C3V3-TR 功能描述:Zener Diode 3.3V 500mW ±6% Through Hole DO-35 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態:有效 電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:3.3V 容差:±6% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:85 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:2μA @ 1V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.5V @ 200mA 工作溫度:- 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向 供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:1 BZX55C3V3-TAP 功能描述:Zener Diode 3.3V 500mW ±5% Through Hole DO-35 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:汽車級，AEC-Q101 包裝:帶盒（TB） 零件狀態:有效 電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:3.3V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:85 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:2μA @ 1V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.5V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向 供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:10,000 BZX55C43 A0G BZX55C43_T50A BZX55C43_T50R BZX55C43-TAP BZX55C43-TR BZX55C47 BZX55C47 A0G BZX55C47_T50A BZX55C47_T50R BZX55C47-TAP BZX55C47-TR BZX55C4V3 BZX55C4V3 A0G BZX55C4V3_T50A BZX55C4V3_T50R BZX55C4V3-TAP BZX55C4V3-TR BZX55C4V7
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