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BZX55T2V4-36X

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BZX55T2V4-36X 技術參數

BZX55F9V1-TR 功能描述:Zener Diode 9.1V 500mW ±1% Through Hole DO-35 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:汽車級，AEC-Q101 包裝:帶卷（TR）零件狀態:上次購買時間電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:9.1V 容差:±1% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:10 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 6.8V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.5V @ 200mA 工作溫度:175°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:10,000 BZX55F9V1-TAP 功能描述:Zener Diode 9.1V 500mW ±1% Through Hole DO-35 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:汽車級，AEC-Q101 包裝:散裝零件狀態:上次購買時間電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:9.1V 容差:±1% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:10 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 6.8V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.5V @ 200mA 工作溫度:175°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:10,000 BZX55F8V2-TR 功能描述:Zener Diode 8.2V 500mW ±1% Through Hole DO-35 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:汽車級，AEC-Q101 包裝:帶卷（TR）零件狀態:上次購買時間電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:8.2V 容差:±1% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:7 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 6.2V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.5V @ 200mA 工作溫度:175°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:10,000 BZX55F8V2-TAP 功能描述:Zener Diode 8.2V 500mW ±1% Through Hole DO-35 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:汽車級，AEC-Q101 包裝:散裝零件狀態:上次購買時間電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:8.2V 容差:±1% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:7 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 6.2V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.5V @ 200mA 工作溫度:175°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:10,000 BZX55F7V5-TR 功能描述:Zener Diode 7.5V 500mW ±1% Through Hole DO-35 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:汽車級，AEC-Q101 包裝:帶卷（TR）零件狀態:上次購買時間電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:7.5V 容差:±1% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:7 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 5V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.5V @ 200mA 工作溫度:175°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:10,000 BZX584B5V1 RKG BZX584B5V1 RSG BZX584B5V6 RKG BZX584B5V6 RSG BZX584B6V2 RKG BZX584B6V2 RSG BZX584B6V8 RKG BZX584B6V8 RSG BZX584B7V5 RKG BZX584B7V5 RSG BZX584B8V2 RKG BZX584B8V2 RSG BZX584B9V1 RKG BZX584B9V1 RSG BZX584C10-V-G-08 BZX584C11-V-G-08 BZX584C12-V-G-08 BZX584C13-V-G-08