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BZX79-B18.133

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BZX79-B18.133 技術參數(shù)

BZX79-B18,143 功能描述:Zener Diode 18V 400mW ±2% Through Hole ALF2 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:帶盒（TB）零件狀態(tài):有效電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:18V 容差:±2% 功率 - 最大值:400mW 阻抗（最大值）（Zzt）:45 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:50nA @ 12.6V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:900mV @ 10mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應商器件封裝:ALF2 標準包裝:5,000 BZX79-B18,133 功能描述:DIODE ZENER 18V 400MW ALF2 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):在售電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:18V 容差:±2% 功率 - 最大值:400mW 阻抗（最大值）（Zzt）:45 Ohms 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:50nA @ 12.6V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf:900mV @ 10mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應商器件封裝:ALF2 基本零件編號:BZX79B18 標準包裝:1 BZX79-B18,113 功能描述:Zener Diode 18V 400mW ±2% Through Hole ALF2 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):有效電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:18V 容差:±2% 功率 - 最大值:400mW 阻抗（最大值）（Zzt）:45 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:50nA @ 12.6V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:900mV @ 10mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應商器件封裝:ALF2 標準包裝:10,000 BZX79B18 A0G 功能描述:DIODE ZENER 18V 500MW DO35 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包裝:帶盒（TB）零件狀態(tài):在售電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:18V 容差:±2% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:45 Ohms 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:12.6mA @ 50mV 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf:1.5V @ 100mA 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:5,000 BZX79-B16,143 功能描述:Zener Diode 16V 400mW ±2% Through Hole ALF2 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:帶盒（TB）零件狀態(tài):有效電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:16V 容差:±2% 功率 - 最大值:400mW 阻抗（最大值）（Zzt）:40 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:50nA @ 11.2V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:900mV @ 10mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應商器件封裝:ALF2 標準包裝:5,000 BZX79-B24,113 BZX79-B24,133 BZX79-B24,143 BZX79B27 A0G BZX79-B27,113 BZX79-B27,133 BZX79-B27,143 BZX79B2V4 A0G BZX79-B2V4,113 BZX79-B2V4,133 BZX79-B2V4,143 BZX79B2V7 A0G BZX79-B2V7,113 BZX79-B2V7,133 BZX79-B2V7,143 BZX79B30 A0G BZX79-B30,113 BZX79-B30,133