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BZX79-B2V2

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BZX79-B2V2 技術參數
  • BZX79-B27,143 功能描述:Zener Diode 27V 400mW ±2% Through Hole ALF2 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:帶盒(TB) 零件狀態:有效 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):27V 容差:±2% 功率 - 最大值:400mW 阻抗(最大值)(Zzt):80 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:50nA @ 18.9V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):900mV @ 10mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH,DO-35,軸向 供應商器件封裝:ALF2 標準包裝:5,000 BZX79-B27,133 功能描述:Zener Diode 27V 400mW ±2% Through Hole ALF2 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:帶盒(TB) 零件狀態:有效 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):27V 容差:±2% 功率 - 最大值:400mW 阻抗(最大值)(Zzt):80 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:50nA @ 18.9V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):900mV @ 10mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH,DO-35,軸向 供應商器件封裝:ALF2 標準包裝:10,000 BZX79-B27,113 功能描述:Zener Diode 27V 400mW ±2% Through Hole ALF2 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態:有效 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):27V 容差:±2% 功率 - 最大值:400mW 阻抗(最大值)(Zzt):80 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:50nA @ 18.9V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):900mV @ 10mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH,DO-35,軸向 供應商器件封裝:ALF2 標準包裝:10,000 BZX79B27 A0G 功能描述:DIODE ZENER 27V 500MW DO35 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包裝:帶盒(TB) 零件狀態:在售 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):27V 容差:±2% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):80 Ohms 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:18.9mA @ 50mV 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf:1.5V @ 100mA 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH,DO-35,軸向 供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:5,000 BZX79-B24,143 功能描述:Zener Diode 24V 400mW ±2% Through Hole ALF2 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:帶盒(TB) 零件狀態:有效 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):24V 容差:±2% 功率 - 最大值:400mW 阻抗(最大值)(Zzt):70 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:50nA @ 16.8V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):900mV @ 10mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH,DO-35,軸向 供應商器件封裝:ALF2 標準包裝:5,000 BZX79-B30,113 BZX79-B30,133 BZX79-B30,143 BZX79B33 A0G BZX79-B33,113 BZX79-B33,133 BZX79-B33,143 BZX79B36 A0G BZX79-B36,113 BZX79-B36,133 BZX79-B36,143 BZX79B39 A0G BZX79-B39,113 BZX79-B39,133 BZX79-B39,143 BZX79B3V0 A0G BZX79-B3V0,113 BZX79-B3V0,133
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