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BZX79-B36113

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BZX79-B36113 技術參數
  • BZX79-B36,143 功能描述:Zener Diode 36V 400mW ±2% Through Hole ALF2 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:帶盒(TB) 零件狀態(tài):有效 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):36V 容差:±2% 功率 - 最大值:400mW 阻抗(最大值)(Zzt):90 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:50nA @ 25.2V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):900mV @ 10mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH,DO-35,軸向 供應商器件封裝:ALF2 標準包裝:5,000 BZX79-B36,133 功能描述:Zener Diode 36V 400mW ±2% Through Hole ALF2 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:帶盒(TB) 零件狀態(tài):有效 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):36V 容差:±2% 功率 - 最大值:400mW 阻抗(最大值)(Zzt):90 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:50nA @ 25.2V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):900mV @ 10mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH,DO-35,軸向 供應商器件封裝:ALF2 標準包裝:10,000 BZX79-B36,113 功能描述:Zener Diode 36V 400mW ±2% Through Hole ALF2 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):有效 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):36V 容差:±2% 功率 - 最大值:400mW 阻抗(最大值)(Zzt):90 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:50nA @ 25.2V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):900mV @ 10mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH,DO-35,軸向 供應商器件封裝:ALF2 標準包裝:10,000 BZX79B36 A0G 功能描述:DIODE ZENER 36V 500MW DO35 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包裝:帶盒(TB) 零件狀態(tài):在售 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):36V 容差:±2% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):90 Ohms 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:25.2mA @ 50mV 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf:1.5V @ 100mA 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH,DO-35,軸向 供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:5,000 BZX79-B33,143 功能描述:Zener Diode 33V 400mW ±2% Through Hole ALF2 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:帶盒(TB) 零件狀態(tài):有效 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):33V 容差:±2% 功率 - 最大值:400mW 阻抗(最大值)(Zzt):80 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:50nA @ 23.1V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):900mV @ 10mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH,DO-35,軸向 供應商器件封裝:ALF2 標準包裝:5,000 BZX79-B3V3,113 BZX79-B3V3,133 BZX79-B3V3,143 BZX79B3V6 A0G BZX79-B3V6,113 BZX79-B3V6,133 BZX79-B3V6,143 BZX79B3V9 A0G BZX79-B3V9,113 BZX79-B3V9,133 BZX79-B3V9,143 BZX79B43 A0G BZX79-B43,113 BZX79-B43,133 BZX79-B43,143 BZX79B47 A0G BZX79-B47,113 BZX79-B47,133
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