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BZX79-B5V6/G

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BZX79-B5V6/G 技術參數
  • BZX79-B5V6,143 功能描述:Zener Diode 5.6V 400mW ±2% Through Hole ALF2 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:帶盒(TB) 零件狀態:有效 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):5.6V 容差:±2% 功率 - 最大值:400mW 阻抗(最大值)(Zzt):40 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:1μA @ 2V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):900mV @ 10mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH,DO-35,軸向 供應商器件封裝:ALF2 標準包裝:5,000 BZX79-B5V6,133 功能描述:DIODE ZENER 5.6V 400MW ALF2 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:在售 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):5.6V 容差:±2% 功率 - 最大值:400mW 阻抗(最大值)(Zzt):40 Ohms 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:1μA @ 2V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf:900mV @ 10mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH,DO-35,軸向 供應商器件封裝:ALF2 基本零件編號:BZX79B5V6 標準包裝:1 BZX79-B5V6,113 功能描述:DIODE ZENER 5.6V 400MW ALF2 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:在售 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):5.6V 容差:±2% 功率 - 最大值:400mW 阻抗(最大值)(Zzt):40 Ohms 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:1μA @ 2V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf:900mV @ 10mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH,DO-35,軸向 供應商器件封裝:ALF2 標準包裝:1 BZX79B5V6 A0G 功能描述:DIODE ZENER 5.6V 500MW DO35 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包裝:帶盒(TB) 零件狀態:在售 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):5.6V 容差:±2% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):40 Ohms 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:2mA @ 1V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf:1.5V @ 100mA 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH,DO-35,軸向 供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:5,000 BZX79-B5V1,143 功能描述:DIODE ZENER 5.1V 400MW ALF2 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:在售 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):5.1V 容差:±2% 功率 - 最大值:400mW 阻抗(最大值)(Zzt):60 Ohms 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:2μA @ 2V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf:900mV @ 10mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH,DO-35,軸向 供應商器件封裝:ALF2 基本零件編號:BZX79B5V1 標準包裝:1 BZX79-B6V2,113 BZX79-B6V2,133 BZX79-B6V2,143 BZX79B6V8 A0G BZX79-B6V8,113 BZX79-B6V8,133 BZX79-B6V8,143 BZX79B75 A0G BZX79-B75,113 BZX79-B75,133 BZX79-B75,143 BZX79B7V5 A0G BZX79-B7V5,113 BZX79-B7V5,133 BZX79-B7V5,143 BZX79B8V2 A0G BZX79-B8V2,113 BZX79-B8V2,133
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