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BZX79-B6V2113

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BZX79-B6V2113 技術參數

BZX79-B6V2,143 功能描述:Zener Diode 6.2V 400mW ±2% Through Hole ALF2 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:帶盒（TB）零件狀態:有效電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:6.2V 容差:±2% 功率 - 最大值:400mW 阻抗（最大值）（Zzt）:10 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:3μA @ 4V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:900mV @ 10mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應商器件封裝:ALF2 標準包裝:5,000 BZX79-B6V2,133 功能描述:DIODE ZENER 6.2V 400MW ALF2 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:在售電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:6.2V 容差:±2% 功率 - 最大值:400mW 阻抗（最大值）（Zzt）:10 Ohms 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:3μA @ 4V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf:900mV @ 10mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應商器件封裝:ALF2 基本零件編號:BZX79B6V2 標準包裝:1 BZX79-B6V2,113 功能描述:DIODE ZENER 6.2V 400MW ALF2 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:在售電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:6.2V 容差:±2% 功率 - 最大值:400mW 阻抗（最大值）（Zzt）:10 Ohms 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:3μA @ 4V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf:900mV @ 10mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應商器件封裝:ALF2 標準包裝:1 BZX79B6V2 A0G 功能描述:DIODE ZENER 6.2V 500MW DO35 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包裝:帶盒（TB）零件狀態:在售電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:6.2V 容差:±2% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:10 Ohms 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:4mA @ 3V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf:1.5V @ 100mA 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:5,000 BZX79-B68,143 功能描述:Zener Diode 68V 400mW ±2% Through Hole ALF2 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:帶盒（TB）零件狀態:有效電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:68V 容差:±2% 功率 - 最大值:400mW 阻抗（最大值）（Zzt）:240 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:50nA @ 47.6V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:900mV @ 10mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應商器件封裝:ALF2 標準包裝:5,000 BZX79-B7V5,113 BZX79-B7V5,133 BZX79-B7V5,143 BZX79B8V2 A0G BZX79-B8V2,113 BZX79-B8V2,133 BZX79-B8V2,143 BZX79B9V1 A0G BZX79-B9V1,113 BZX79-B9V1,133 BZX79-B9V1,143 BZX79C10 BZX79C10 A0G BZX79-C10,113 BZX79-C10,133 BZX79-C10,143 BZX79C10_T50A BZX79C10_T50R