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BZX79-B8V2/G

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BZX79-B8V2/G PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準

BZX79-B8V2/G 技術參數

BZX79-B8V2,143 功能描述:Zener Diode 8.2V 400mW ±2% Through Hole ALF2 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:帶盒（TB）零件狀態:有效電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:8.2V 容差:±2% 功率 - 最大值:400mW 阻抗（最大值）（Zzt）:15 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:700nA @ 5V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:900mV @ 10mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應商器件封裝:ALF2 標準包裝:5,000 BZX79-B8V2,133 功能描述:Zener Diode 8.2V 400mW ±2% Through Hole ALF2 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:帶盒（TB）零件狀態:有效電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:8.2V 容差:±2% 功率 - 最大值:400mW 阻抗（最大值）（Zzt）:15 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:700nA @ 5V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:900mV @ 10mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應商器件封裝:ALF2 標準包裝:10,000 BZX79-B8V2,113 功能描述:Zener Diode 8.2V 400mW ±2% Through Hole ALF2 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態:有效電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:8.2V 容差:±2% 功率 - 最大值:400mW 阻抗（最大值）（Zzt）:15 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:700nA @ 5V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:900mV @ 10mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應商器件封裝:ALF2 標準包裝:10,000 BZX79B8V2 A0G 功能描述:DIODE ZENER 8.2V 500MW DO35 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包裝:帶盒（TB）零件狀態:在售電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:8.2V 容差:±2% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:15 Ohms 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5mA @ 700mV 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf:1.5V @ 100mA 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:5,000 BZX79-B7V5,143 功能描述:Zener Diode 7.5V 400mW ±2% Through Hole ALF2 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:帶盒（TB）零件狀態:有效電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:7.5V 容差:±2% 功率 - 最大值:400mW 阻抗（最大值）（Zzt）:15 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:1μA @ 5V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:900mV @ 10mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應商器件封裝:ALF2 標準包裝:5,000 BZX79C10_T50A BZX79C10_T50R BZX79C10-T50A BZX79C11 BZX79C11 A0G BZX79-C11,113 BZX79-C11,133 BZX79-C11,143 BZX79C11_T50A BZX79C11_T50R BZX79C11-T50A BZX79C12 BZX79C12 A0G BZX79-C12,113 BZX79-C12,133 BZX79-C12,143 BZX79C12_T50A BZX79C12_T50R