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BZX79-C68.

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  • 制造商
  • NXP Semiconductors
  • 功能描述
  • DIODE ZENER 500MW 68V
BZX79-C68. 技術參數
  • BZX79-C68,143 功能描述:Zener Diode 68V 400mW ±5% Through Hole ALF2 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:帶盒(TB) 零件狀態:有效 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):68V 容差:±5% 功率 - 最大值:400mW 阻抗(最大值)(Zzt):240 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:50nA @ 47.6V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):900mV @ 10mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH,DO-35,軸向 供應商器件封裝:ALF2 標準包裝:5,000 BZX79-C68,133 功能描述:Zener Diode 68V 400mW ±5% Through Hole ALF2 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:帶盒(TB) 零件狀態:有效 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):68V 容差:±5% 功率 - 最大值:400mW 阻抗(最大值)(Zzt):240 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:50nA @ 47.6V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):900mV @ 10mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH,DO-35,軸向 供應商器件封裝:ALF2 標準包裝:10,000 BZX79-C68,113 功能描述:DIODE ZENER 68V 400MW ALF2 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:Digi-Key 停止供應 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):68V 容差:±5% 功率 - 最大值:400mW 阻抗(最大值)(Zzt):240 Ohms 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:50nA @ 47.6V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf:900mV @ 10mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH,DO-35,軸向 供應商器件封裝:ALF2 標準包裝:1 BZX79C68 A0G 功能描述:DIODE ZENER 68V 500MW DO35 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包裝:帶盒(TB) 零件狀態:在售 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):68V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):240 Ohms 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:50nA @ 47.6V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf:1.5V @ 100mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH,DO-35,軸向 供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:5,000 BZX79-C62,143 功能描述:Zener Diode 62V 400mW ±5% Through Hole ALF2 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:帶盒(TB) 零件狀態:有效 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):62V 容差:±5% 功率 - 最大值:400mW 阻抗(最大值)(Zzt):215 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:50nA @ 43.4V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):900mV @ 10mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH,DO-35,軸向 供應商器件封裝:ALF2 標準包裝:5,000 BZX79C6V8 BZX79C6V8 A0G BZX79-C6V8,113 BZX79-C6V8,133 BZX79-C6V8,143 BZX79C6V8_T50A BZX79C6V8_T50R BZX79C6V8-T50A BZX79C75 A0G BZX79-C75,113 BZX79-C75,133 BZX79-C75,143 BZX79C7V5 BZX79C7V5 A0G BZX79-C7V5,113 BZX79-C7V5,133 BZX79-C7V5,143 BZX79C7V5_T50A
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