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BZX79-C6V8T/R

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制造商
NXP Semiconductors
功能描述
Diode Zener Single 6.8V 5% 500mW 2-Pin ALF T/R

BZX79-C6V8T/R 技術參數

BZX79C6V8_T50R 功能描述:Zener Diode 6.8V 500mW ±5% Through Hole DO-35 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態:過期電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:6.8V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:15 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:2μA @ 4V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.5V @ 100mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:5,000 BZX79C6V8_T50A 功能描述:Zener Diode 6.8V 500mW ±5% Through Hole DO-35 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:6.8V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:15 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:2μA @ 4V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.5V @ 100mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:1 BZX79-C6V8,143 功能描述:DIODE ZENER 6.8V 400MW ALF2 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:在售電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:6.8V 容差:±5% 功率 - 最大值:400mW 阻抗（最大值）（Zzt）:15 Ohms 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:2μA @ 4V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf:900mV @ 10mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應商器件封裝:ALF2 基本零件編號:BZX79C6V8 標準包裝:1 BZX79-C6V8,133 功能描述:DIODE ZENER 6.8V 400MW ALF2 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:在售電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:6.8V 容差:±5% 功率 - 最大值:400mW 阻抗（最大值）（Zzt）:15 Ohms 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:2μA @ 4V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf:900mV @ 10mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應商器件封裝:ALF2 標準包裝:1 BZX79-C6V8,113 功能描述:DIODE ZENER 6.8V 400MW ALF2 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:在售電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:6.8V 容差:±5% 功率 - 最大值:400mW 阻抗（最大值）（Zzt）:15 Ohms 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:2μA @ 4V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf:900mV @ 10mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應商器件封裝:ALF2 標準包裝:1 BZX79-C7V5,143 BZX79C7V5_T50A BZX79C7V5_T50R BZX79C7V5-T50A BZX79C8V2 BZX79C8V2 A0G BZX79-C8V2,113 BZX79-C8V2,133 BZX79-C8V2,143 BZX79C8V2_T50A BZX79C8V2_T50R BZX79C8V2-T50A BZX79C9V1 BZX79C9V1 A0G BZX79-C9V1,113 BZX79-C9V1,133 BZX79-C9V1,143 BZX79C9V1_T50A