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BZX79B12TA

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BZX79B12TA 技術參數
  • BZX79-B12,143 功能描述:Zener Diode 12V 400mW ±2% Through Hole ALF2 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:帶盒(TB) 零件狀態:有效 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):12V 容差:±2% 功率 - 最大值:400mW 阻抗(最大值)(Zzt):25 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 8V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):900mV @ 10mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH,DO-35,軸向 供應商器件封裝:ALF2 標準包裝:5,000 BZX79-B12,133 功能描述:DIODE ZENER 12V 400MW ALF2 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:在售 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):12V 容差:±2% 功率 - 最大值:400mW 阻抗(最大值)(Zzt):25 Ohms 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 8V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf:900mV @ 10mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH,DO-35,軸向 供應商器件封裝:ALF2 基本零件編號:BZX79B12 標準包裝:1 BZX79-B12,113 功能描述:DIODE ZENER 12V 400MW ALF2 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:在售 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):12V 容差:±2% 功率 - 最大值:400mW 阻抗(最大值)(Zzt):25 Ohms 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 8V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf:900mV @ 10mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH,DO-35,軸向 供應商器件封裝:ALF2 標準包裝:1 BZX79B12 A0G 功能描述:DIODE ZENER 12V 500MW DO35 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包裝:帶盒(TB) 零件狀態:在售 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):12V 容差:±2% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):25 Ohms 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:8mA @ 100mV 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf:1.5V @ 100mA 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH,DO-35,軸向 供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:5,000 BZX79-B11,143 功能描述:Zener Diode 11V 400mW ±2% Through Hole ALF2 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:帶盒(TB) 零件狀態:有效 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):11V 容差:±2% 功率 - 最大值:400mW 阻抗(最大值)(Zzt):20 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 8V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):900mV @ 10mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH,DO-35,軸向 供應商器件封裝:ALF2 標準包裝:5,000 BZX79-B16,113 BZX79-B16,133 BZX79-B16,143 BZX79B18 A0G BZX79-B18,113 BZX79-B18,133 BZX79-B18,143 BZX79B20 A0G BZX79-B20,113 BZX79-B20,133 BZX79-B20,143 BZX79B22 A0G BZX79-B22,113 BZX79-B22,133 BZX79-B22,143 BZX79B24 A0G BZX79-B24,113 BZX79-B24,133
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