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BZX79B3V9RL2

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BZX79B3V9RL2 技術參數

BZX79-B3V9,143 功能描述:Zener Diode 3.9V 400mW ±2% Through Hole ALF2 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:帶盒（TB）零件狀態:有效電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:3.9V 容差:±2% 功率 - 最大值:400mW 阻抗（最大值）（Zzt）:90 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:3μA @ 1V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:900mV @ 10mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應商器件封裝:ALF2 標準包裝:5,000 BZX79-B3V9,133 功能描述:DIODE ZENER 3.9V 400MW ALF2 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:在售電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:3.9V 容差:±2% 功率 - 最大值:400mW 阻抗（最大值）（Zzt）:90 Ohms 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:3μA @ 1V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf:900mV @ 10mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應商器件封裝:ALF2 基本零件編號:BZX79B3V9 標準包裝:1 BZX79-B3V9,113 功能描述:Zener Diode 3.9V 400mW ±2% Through Hole ALF2 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態:有效電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:3.9V 容差:±2% 功率 - 最大值:400mW 阻抗（最大值）（Zzt）:90 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:3μA @ 1V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:900mV @ 10mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應商器件封裝:ALF2 標準包裝:10,000 BZX79B3V9 A0G 功能描述:DIODE ZENER 3.9V 500MW DO35 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包裝:帶盒（TB）零件狀態:在售電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:3.9V 容差:±2% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:90 Ohms 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:1mA @ 10V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf:1.5V @ 100mA 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:5,000 BZX79-B3V6,143 功能描述:Zener Diode 3.6V 400mW ±2% Through Hole ALF2 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:帶盒（TB）零件狀態:有效電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:3.6V 容差:±2% 功率 - 最大值:400mW 阻抗（最大值）（Zzt）:90 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 1V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:900mV @ 10mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應商器件封裝:ALF2 標準包裝:5,000 BZX79-B4V3,113 BZX79-B4V3,133 BZX79-B4V3,143 BZX79B4V7 A0G BZX79-B4V7,113 BZX79-B4V7,133 BZX79-B4V7,143 BZX79B51 A0G BZX79-B51,113 BZX79-B51,133 BZX79-B51,143 BZX79B56 A0G BZX79-B56,113 BZX79-B56,133 BZX79-B56,143 BZX79B5V1 A0G BZX79-B5V1,113 BZX79-B5V1,133