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BZX79C-10

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BZX79C-10 技術參數

BZX79C10 功能描述:Zener Diode 10V 500mW ±5% Through Hole DO-35 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:10V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:20 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:200nA @ 7V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.5V @ 100mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:1,000 BZX79-B9V1,143 功能描述:DIODE ZENER 9.1V 400MW ALF2 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:在售電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:9.1V 容差:±2% 功率 - 最大值:400mW 阻抗（最大值）（Zzt）:15 Ohms 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:500nA @ 6V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf:900mV @ 10mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應商器件封裝:ALF2 基本零件編號:BZX79B9V1 標準包裝:1 BZX79-B9V1,133 功能描述:Zener Diode 9.1V 400mW ±2% Through Hole ALF2 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:帶盒（TB）零件狀態:有效電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:9.1V 容差:±2% 功率 - 最大值:400mW 阻抗（最大值）（Zzt）:15 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:500nA @ 6V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:900mV @ 10mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應商器件封裝:ALF2 標準包裝:10,000 BZX79-B9V1,113 功能描述:DIODE ZENER 9.1V 400MW ALF2 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:在售電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:9.1V 容差:±2% 功率 - 最大值:400mW 阻抗（最大值）（Zzt）:15 Ohms 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:500nA @ 6V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf:900mV @ 10mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應商器件封裝:ALF2 基本零件編號:BZX79B9V1 標準包裝:1 BZX79B9V1 A0G 功能描述:DIODE ZENER 9.1V 500MW DO35 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包裝:帶盒（TB）零件狀態:在售電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:9.1V 容差:±2% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:15 Ohms 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:6mA @ 500mV 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf:1.5V @ 100mA 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:5,000 BZX79-C11,113 BZX79-C11,133 BZX79-C11,143 BZX79C11_T50A BZX79C11_T50R BZX79C11-T50A BZX79C12 BZX79C12 A0G BZX79-C12,113 BZX79-C12,133 BZX79-C12,143 BZX79C12_T50A BZX79C12_T50R BZX79C12-T50A BZX79C13 BZX79C13 A0G BZX79-C13,113 BZX79-C13,133