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BZX79C3O

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BZX79C3O 技術參數

BZX79C39_T50R 功能描述:Zener Diode 39V 500mW ±5% Through Hole DO-35 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態:過期電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:39V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:130 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:50nA @ 27.3V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.5V @ 100mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:10,000 BZX79-C39,143 功能描述:Zener Diode 39V 400mW ±5% Through Hole ALF2 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:帶盒（TB）零件狀態:有效電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:39V 容差:±5% 功率 - 最大值:400mW 阻抗（最大值）（Zzt）:130 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:50nA @ 27.3V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:900mV @ 10mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應商器件封裝:ALF2 標準包裝:5,000 BZX79-C39,133 功能描述:Zener Diode 39V 400mW ±5% Through Hole ALF2 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:帶盒（TB）零件狀態:有效電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:39V 容差:±5% 功率 - 最大值:400mW 阻抗（最大值）（Zzt）:130 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:50nA @ 27.3V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:900mV @ 10mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應商器件封裝:ALF2 標準包裝:10,000 BZX79-C39,113 功能描述:DIODE ZENER 39V 400MW ALF2 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:在售電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:39V 容差:±5% 功率 - 最大值:400mW 阻抗（最大值）（Zzt）:130 Ohms 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:50nA @ 27.3V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf:900mV @ 10mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應商器件封裝:ALF2 標準包裝:1 BZX79C39 A0G 功能描述:DIODE ZENER 39V 500MW DO35 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包裝:帶盒（TB）零件狀態:在售電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:39V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:130 Ohms 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:50nA @ 27.3V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf:1.5V @ 100mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:5,000 BZX79-C3V3,113 BZX79-C3V3,133 BZX79-C3V3,143 BZX79C3V3_T50A BZX79C3V3_T50R BZX79C3V3-T50A BZX79C3V6 BZX79C3V6 A0G BZX79-C3V6,113 BZX79-C3V6,133 BZX79-C3V6,143 BZX79C3V6_T50A BZX79C3V6_T50R BZX79C3V6-T50A BZX79C3V9 BZX79C3V9 A0G BZX79-C3V9,113 BZX79-C3V9,133