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BZX79C4V7/NXP

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BZX79C4V7/NXP 技術參數
  • BZX79-C4V7,143 功能描述:DIODE ZENER 4.7V 400MW DO35 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:在售 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):4.7V 容差:±5% 功率 - 最大值:400mW 阻抗(最大值)(Zzt):80 Ohms 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:3μA @ 2V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf:900mV @ 10mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH,DO-35,軸向 供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:1 BZX79-C4V7,133 功能描述:DIODE ZENER 4.7V 400MW ALF2 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:在售 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):4.7V 容差:±5% 功率 - 最大值:400mW 阻抗(最大值)(Zzt):80 Ohms 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:3μA @ 2V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf:900mV @ 10mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH,DO-35,軸向 供應商器件封裝:ALF2 基本零件編號:BZX79C4V7 標準包裝:1 BZX79-C4V7,113 功能描述:DIODE ZENER 4.7V 400MW ALF2 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:在售 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):4.7V 容差:±5% 功率 - 最大值:400mW 阻抗(最大值)(Zzt):80 Ohms 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:3μA @ 2V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf:900mV @ 10mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH,DO-35,軸向 供應商器件封裝:ALF2 基本零件編號:BZX79C4V7 標準包裝:1 BZX79C4V7 A0G 功能描述:DIODE ZENER 4.7V 500MW DO35 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包裝:帶盒(TB) 零件狀態:在售 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):4.7V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):80 Ohms 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:3μA @ 2V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf:1.5V @ 100mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH,DO-35,軸向 供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:5,000 BZX79C4V7 功能描述:Zener Diode 4.7V 500mW ±5% Through Hole DO-35 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:有效 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):4.7V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):80 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:3μA @ 2V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.5V @ 100mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH,DO-35,軸向 供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:1,000 BZX79C51_T50R BZX79C51-T50A BZX79C56 BZX79C56 A0G BZX79-C56,113 BZX79-C56,133 BZX79-C56,143 BZX79C56_T50A BZX79C56_T50R BZX79C5V1 BZX79C5V1 A0G BZX79-C5V1,113 BZX79-C5V1,133 BZX79-C5V1,143 BZX79C5V1_T50A BZX79C5V1_T50R BZX79C5V1-T50A BZX79C5V6
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