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BZX84C11(11V/23)

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BZX84C11(11V/23) 技術參數

BZX84C11 TR 功能描述:Zener Diode 11V 350mW ±5% Surface Mount SOT-23 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:停產電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:11V 容差:±5% 功率 - 最大值:350mW 阻抗（最大值）（Zzt）:20 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 8V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:900mV @ 10mA 工作溫度:-65°C ~ 150°C 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商器件封裝:SOT-23 標準包裝:1 BZX84C11 RFG 功能描述:DIODE ZENER 11V 300MW SOT23 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態:在售電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:11V 容差:±5% 功率 - 最大值:300mW 阻抗（最大值）（Zzt）:20 Ohms 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 8V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf:900mV @ 10mA 工作溫度:-65°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商器件封裝:SOT-23 標準包裝:3,000 BZX84C11 功能描述:Zener Diode 11V 350mW ±5% Surface Mount SOT-23-3 (TO-236) 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:11V 容差:±5% 功率 - 最大值:350mW 阻抗（最大值）（Zzt）:20 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 8V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:900mV @ 10mA 工作溫度:-55°C ~ 150°C 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商器件封裝:SOT-23-3（TO-236）標準包裝:1 BZX84C10W-7-F 功能描述:Zener Diode 10V 200mW ±6% Surface Mount SOT-323 制造商:diodes incorporated 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:10V 容差:±6% 功率 - 最大值:200mW 阻抗（最大值）（Zzt）:20 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:200nA @ 7V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:900mV @ 10mA 工作溫度:-65°C ~ 125°C 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SC-70，SOT-323 供應商器件封裝:SOT-323 標準包裝:1 BZX84C10W-7 功能描述:Zener Diode 10V 200mW ±6% Surface Mount SOT-323 制造商:diodes incorporated 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:停產電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:10V 容差:±6% 功率 - 最大值:200mW 阻抗（最大值）（Zzt）:20 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:200nA @ 7V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:900mV @ 10mA 工作溫度:-65°C ~ 125°C 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SC-70，SOT-323 供應商器件封裝:SOT-323 標準包裝:1 BZX84C11-E3-08 BZX84C11-E3-18 BZX84C11-G3-08 BZX84C11-G3-18 BZX84C11-HE3-08 BZX84C11-HE3-18 BZX84C11LT1 BZX84C11LT1G BZX84C11S-7 BZX84C11S-7-F BZX84C11T-7-F BZX84C11-TP BZX84C11TS-7-F BZX84C11VLFHT116 BZX84C11W-7 BZX84C11W-7-F BZX84C11W-TP BZX84C12