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BZX84C33R-DKDIODES

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BZX84C33R-DKDIODES 技術參數

BZX84C33LT3G 功能描述:Zener Diode 33V 225mW ±6% Surface Mount SOT-23-3 (TO-236) 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態:有效電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:33V 容差:±6% 功率 - 最大值:225mW 阻抗（最大值）（Zzt）:80 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:50nA @ 23.1V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:900mV @ 10mA 工作溫度:- 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商器件封裝:SOT-23-3（TO-236）標準包裝:10,000 BZX84C33LT3 功能描述:Zener Diode 33V 225mW ±6% Surface Mount SOT-23-3 (TO-236) 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態:過期電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:33V 容差:±6% 功率 - 最大值:225mW 阻抗（最大值）（Zzt）:80 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:50nA @ 23.1V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:900mV @ 10mA 工作溫度:- 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商器件封裝:SOT-23-3（TO-236）標準包裝:10,000 BZX84C33LT1G 功能描述:Zener Diode 33V 225mW ±6% Surface Mount SOT-23-3 (TO-236) 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:33V 容差:±6% 功率 - 最大值:225mW 阻抗（最大值）（Zzt）:80 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:50nA @ 23.1V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:900mV @ 10mA 工作溫度:- 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商器件封裝:SOT-23-3（TO-236）標準包裝:1 BZX84C33LT1 功能描述:Zener Diode 33V 225mW ±6% Surface Mount SOT-23-3 (TO-236) 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態:過期電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:33V 容差:±6% 功率 - 最大值:225mW 阻抗（最大值）（Zzt）:80 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:50nA @ 23.1V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:900mV @ 10mA 工作溫度:- 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商器件封裝:SOT-23-3（TO-236）標準包裝:3,000 BZX84C33-HE3-18 功能描述:Zener Diode 33V 300mW ±5% Surface Mount SOT-23-3 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:汽車級，AEC-Q101 包裝:帶卷（TR）零件狀態:有效電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:33V 容差:±5% 功率 - 最大值:300mW 阻抗（最大值）（Zzt）:80 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:50nA @ 23.1V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:- 工作溫度:-55°C ~ 150°C 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商器件封裝:SOT-23-3 標準包裝:10,000 BZX84-C36,215 BZX84-C36,235 BZX84-C36/DG/B2,21 BZX84-C36/DG/B2,23 BZX84-C36/LF1R BZX84-C36/LF1VL BZX84C36-7 BZX84C36-7-F BZX84C36-E3-08 BZX84C36-E3-18 BZX84C36ET3 BZX84C36ET3G BZX84C36-G3-08 BZX84C36-G3-18 BZX84C36-HE3-08 BZX84C36-HE3-18 BZX84C36LT1 BZX84C36LT1G