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BZX85-C-5V6

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BZX85-C-5V6 技術參數
  • BZX85C5V6 功能描述:Zener Diode 5.6V 1W ±7% Through Hole DO-41 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:有效 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):5.6V 容差:±7% 功率 - 最大值:1W 阻抗(最大值)(Zzt):7 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:1μA @ 2V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.2V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AL,DO-41,軸向 供應商器件封裝:DO-41 標準包裝:1,000 BZX85C5V1-TR 功能描述:Zener Diode 5.1V 1.3W ±5% Through Hole DO-41 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:汽車級,AEC-Q101 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:在售 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):5.1V 容差:±5% 功率 - 最大值:1.3W 阻抗(最大值)(Zzt):10 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:1μA @ 1.5V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):- 工作溫度:-55°C ~ 175°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AL,DO-41,軸向 供應商器件封裝:DO-41 標準包裝:1 BZX85C5V1-TAP 功能描述:Zener Diode 5.1V 1.3W ±5% Through Hole DO-41 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:汽車級,AEC-Q101 包裝:帶盒(TB) 零件狀態:有效 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):5.1V 容差:±5% 功率 - 最大值:1.3W 阻抗(最大值)(Zzt):10 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:1μA @ 1.5V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):- 工作溫度:-55°C ~ 175°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AL,DO-41,軸向 供應商器件封裝:DO-41 標準包裝:5,000 BZX85C5V1-T50A 功能描述:DIODE ZENER 5.1V 1W DO41 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:Digi-Key 停止供應 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):5.1V 容差:±6% 功率 - 最大值:1W 阻抗(最大值)(Zzt):10 Ohms 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:1μA @ 2V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf:1.2V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AL,DO-41,軸向 供應商器件封裝:DO-41 基本零件編號:BZX85C5V1 標準包裝:1 BZX85C5V1_T50R 功能描述:Zener Diode 5.1V 1W ±6% Through Hole DO-41 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態:過期 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):5.1V 容差:±6% 功率 - 最大值:1W 阻抗(最大值)(Zzt):10 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:1μA @ 2V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.2V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AL,DO-41,軸向 供應商器件封裝:DO-41 標準包裝:6,000 BZX85C68-TAP BZX85C68-TR BZX85C6V2 BZX85C6V2 A0G BZX85C6V2 R0G BZX85C6V2_T50A BZX85C6V2_T50R BZX85C6V2-T50A BZX85C6V2-TAP BZX85C6V2-TR BZX85C6V8 BZX85C6V8 A0G BZX85C6V8 R0G BZX85C6V8_T50A BZX85C6V8_T50R BZX85C6V8-TAP BZX85C6V8-TR BZX85C75-TAP
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