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BZX85B30RLRL

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BZX85B30RLRL 技術參數
  • BZX85B2V7-TR 功能描述:Zener Diode 2.7V 1.3W ±2% Through Hole DO-41 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:汽車級,AEC-Q101 包裝:帶卷(TR) 零件狀態:有效 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):2.7V 容差:±2% 功率 - 最大值:1.3W 阻抗(最大值)(Zzt):20 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:500nA @ 20V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):- 工作溫度:-55°C ~ 175°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AL,DO-41,軸向 供應商器件封裝:DO-41 標準包裝:5,000 BZX85B2V7-TAP 功能描述:Zener Diode 2.7V 1.3W ±2% Through Hole DO-41 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:汽車級,AEC-Q101 包裝:帶盒(TB) 零件狀態:有效 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):2.7V 容差:±2% 功率 - 最大值:1.3W 阻抗(最大值)(Zzt):20 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:500nA @ 20V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):- 工作溫度:-55°C ~ 175°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AL,DO-41,軸向 供應商器件封裝:DO-41 標準包裝:5,000 BZX85B27-TR 功能描述:Zener Diode 27V 1.3W ±2% Through Hole DO-41 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:汽車級,AEC-Q101 包裝:帶卷(TR) 零件狀態:有效 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):27V 容差:±2% 功率 - 最大值:1.3W 阻抗(最大值)(Zzt):30 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:500nA @ 20V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):- 工作溫度:-55°C ~ 175°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AL,DO-41,軸向 供應商器件封裝:DO-41 標準包裝:5,000 BZX85B27-TAP 功能描述:Zener Diode 27V 1.3W ±2% Through Hole DO-41 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:汽車級,AEC-Q101 包裝:帶盒(TB) 零件狀態:有效 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):27V 容差:±2% 功率 - 最大值:1.3W 阻抗(最大值)(Zzt):30 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:500nA @ 20V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):- 工作溫度:-55°C ~ 175°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AL,DO-41,軸向 供應商器件封裝:DO-41 標準包裝:5,000 BZX85B24-TR 功能描述:Zener Diode 24V 1.3W ±2% Through Hole DO-41 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:汽車級,AEC-Q101 包裝:帶卷(TR) 零件狀態:有效 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):24V 容差:±2% 功率 - 最大值:1.3W 阻抗(最大值)(Zzt):25 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:500nA @ 18V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):- 工作溫度:-55°C ~ 175°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AL,DO-41,軸向 供應商器件封裝:DO-41 標準包裝:5,000 BZX85B3V0-TR BZX85B3V3-TAP BZX85B3V3-TR BZX85B3V6-TAP BZX85B3V6-TR BZX85B3V9-TAP BZX85B3V9-TR BZX85B43-TAP BZX85B43-TR BZX85B47-TAP BZX85B47-TR BZX85B4V3-TAP BZX85B4V3-TR BZX85B4V7-TAP BZX85B4V7-TR BZX85B51-TAP BZX85B51-TR BZX85B56-TAP
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