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BZX85B47RL2

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BZX85B47RL2 技術參數
  • BZX85B43-TR 功能描述:Zener Diode 43V 1.3W ±2% Through Hole DO-41 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:汽車級,AEC-Q101 包裝:帶卷(TR) 零件狀態:有效 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):43V 容差:±2% 功率 - 最大值:1.3W 阻抗(最大值)(Zzt):50 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:500nA @ 33V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):- 工作溫度:-55°C ~ 175°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AL,DO-41,軸向 供應商器件封裝:DO-41 標準包裝:5,000 BZX85B43-TAP 功能描述:Zener Diode 43V 1.3W ±2% Through Hole DO-41 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:汽車級,AEC-Q101 包裝:帶盒(TB) 零件狀態:有效 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):43V 容差:±2% 功率 - 最大值:1.3W 阻抗(最大值)(Zzt):50 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:500nA @ 33V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):- 工作溫度:-55°C ~ 175°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AL,DO-41,軸向 供應商器件封裝:DO-41 標準包裝:5,000 BZX85B3V9-TR 功能描述:Zener Diode 3.9V 1.3W ±2% Through Hole DO-41 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:汽車級,AEC-Q101 包裝:帶卷(TR) 零件狀態:有效 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):3.9V 容差:±2% 功率 - 最大值:1.3W 阻抗(最大值)(Zzt):15 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10μA @ 1V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):- 工作溫度:-55°C ~ 175°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AL,DO-41,軸向 供應商器件封裝:DO-41 標準包裝:5,000 BZX85B3V9-TAP 功能描述:Zener Diode 3.9V 1.3W ±2% Through Hole DO-41 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:汽車級,AEC-Q101 包裝:帶盒(TB) 零件狀態:有效 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):3.9V 容差:±2% 功率 - 最大值:1.3W 阻抗(最大值)(Zzt):15 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10μA @ 1V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):- 工作溫度:-55°C ~ 175°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AL,DO-41,軸向 供應商器件封裝:DO-41 標準包裝:5,000 BZX85B3V6-TR 功能描述:Zener Diode 3.6V 1.3W ±2% Through Hole DO-41 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:汽車級,AEC-Q101 包裝:帶卷(TR) 零件狀態:有效 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):3.6V 容差:±2% 功率 - 最大值:1.3W 阻抗(最大值)(Zzt):20 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:20μA @ 1V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):- 工作溫度:-55°C ~ 175°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AL,DO-41,軸向 供應商器件封裝:DO-41 標準包裝:5,000 BZX85B56-TR BZX85B5V1-TAP BZX85B5V1-TR BZX85B5V6-TAP BZX85B5V6-TR BZX85B62-TAP BZX85B62-TR BZX85B68-TAP BZX85B68-TR BZX85B6V2-TAP BZX85B6V2-TR BZX85B6V8-TAP BZX85B6V8-TR BZX85B75-TAP BZX85B75-TR BZX85B7V5-TAP BZX85B7V5-TR BZX85B82-TAP
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