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BZX85B4V3RLRL2

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BZX85B4V3RLRL2 PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準

BZX85B4V3RLRL2 技術參數

BZX85B47-TR 功能描述:Zener Diode 47V 1.3W ±2% Through Hole DO-41 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:汽車級，AEC-Q101 包裝:帶卷（TR）零件狀態:有效電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:47V 容差:±2% 功率 - 最大值:1.3W 阻抗（最大值）（Zzt）:90 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:500nA @ 36V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:- 工作溫度:-55°C ~ 175°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AL，DO-41，軸向供應商器件封裝:DO-41 標準包裝:5,000 BZX85B47-TAP 功能描述:Zener Diode 47V 1.3W ±2% Through Hole DO-41 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:汽車級，AEC-Q101 包裝:帶盒（TB）零件狀態:有效電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:47V 容差:±2% 功率 - 最大值:1.3W 阻抗（最大值）（Zzt）:90 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:500nA @ 36V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:- 工作溫度:-55°C ~ 175°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AL，DO-41，軸向供應商器件封裝:DO-41 標準包裝:5,000 BZX85B43-TR 功能描述:Zener Diode 43V 1.3W ±2% Through Hole DO-41 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:汽車級，AEC-Q101 包裝:帶卷（TR）零件狀態:有效電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:43V 容差:±2% 功率 - 最大值:1.3W 阻抗（最大值）（Zzt）:50 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:500nA @ 33V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:- 工作溫度:-55°C ~ 175°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AL，DO-41，軸向供應商器件封裝:DO-41 標準包裝:5,000 BZX85B43-TAP 功能描述:Zener Diode 43V 1.3W ±2% Through Hole DO-41 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:汽車級，AEC-Q101 包裝:帶盒（TB）零件狀態:有效電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:43V 容差:±2% 功率 - 最大值:1.3W 阻抗（最大值）（Zzt）:50 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:500nA @ 33V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:- 工作溫度:-55°C ~ 175°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AL，DO-41，軸向供應商器件封裝:DO-41 標準包裝:5,000 BZX85B3V9-TR 功能描述:Zener Diode 3.9V 1.3W ±2% Through Hole DO-41 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:汽車級，AEC-Q101 包裝:帶卷（TR）零件狀態:有效電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:3.9V 容差:±2% 功率 - 最大值:1.3W 阻抗（最大值）（Zzt）:15 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10μA @ 1V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:- 工作溫度:-55°C ~ 175°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AL，DO-41，軸向供應商器件封裝:DO-41 標準包裝:5,000 BZX85B5V1-TR BZX85B5V6-TAP BZX85B5V6-TR BZX85B62-TAP BZX85B62-TR BZX85B68-TAP BZX85B68-TR BZX85B6V2-TAP BZX85B6V2-TR BZX85B6V8-TAP BZX85B6V8-TR BZX85B75-TAP BZX85B75-TR BZX85B7V5-TAP BZX85B7V5-TR BZX85B82-TAP BZX85B82-TR BZX85B8V2-TAP