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BZX85B5V1-TAP50

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BZX85B5V1-TAP50 PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準

BZX85B5V1-TAP50 技術參數

BZX85B5V1-TAP 功能描述:Zener Diode 5.1V 1.3W ±2% Through Hole DO-41 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:汽車級，AEC-Q101 包裝:帶盒（TB）零件狀態:有效電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:5.1V 容差:±2% 功率 - 最大值:1.3W 阻抗（最大值）（Zzt）:10 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:1μA @ 1.5V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:- 工作溫度:-55°C ~ 175°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AL，DO-41，軸向供應商器件封裝:DO-41 標準包裝:5,000 BZX85B56-TR 功能描述:Zener Diode 56V 1.3W ±2% Through Hole DO-41 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:汽車級，AEC-Q101 包裝:帶卷（TR）零件狀態:有效電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:56V 容差:±2% 功率 - 最大值:1.3W 阻抗（最大值）（Zzt）:120 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:500nA @ 43V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:- 工作溫度:-55°C ~ 175°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AL，DO-41，軸向供應商器件封裝:DO-41 標準包裝:5,000 BZX85B56-TAP 功能描述:Zener Diode 56V 1.3W ±2% Through Hole DO-41 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:汽車級，AEC-Q101 包裝:帶盒（TB）零件狀態:有效電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:56V 容差:±2% 功率 - 最大值:1.3W 阻抗（最大值）（Zzt）:120 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:500nA @ 43V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:- 工作溫度:-55°C ~ 175°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AL，DO-41，軸向供應商器件封裝:DO-41 標準包裝:5,000 BZX85B51-TR 功能描述:Zener Diode 51V 1.3W ±2% Through Hole DO-41 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:汽車級，AEC-Q101 包裝:帶卷（TR）零件狀態:有效電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:51V 容差:±2% 功率 - 最大值:1.3W 阻抗（最大值）（Zzt）:115 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:500nA @ 39V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:- 工作溫度:-55°C ~ 175°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AL，DO-41，軸向供應商器件封裝:DO-41 標準包裝:5,000 BZX85B51-TAP 功能描述:Zener Diode 51V 1.3W ±2% Through Hole DO-41 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:汽車級，AEC-Q101 包裝:帶盒（TB）零件狀態:有效電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:51V 容差:±2% 功率 - 最大值:1.3W 阻抗（最大值）（Zzt）:115 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:500nA @ 39V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:- 工作溫度:-55°C ~ 175°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AL，DO-41，軸向供應商器件封裝:DO-41 標準包裝:5,000 BZX85B6V8-TAP BZX85B6V8-TR BZX85B75-TAP BZX85B75-TR BZX85B7V5-TAP BZX85B7V5-TR BZX85B82-TAP BZX85B82-TR BZX85B8V2-TAP BZX85B8V2-TR BZX85B91-TAP BZX85B91-TR BZX85B9V1-TAP BZX85B9V1-TR BZX85C10 BZX85C10 A0G BZX85C10 R0G BZX85C10_T50R