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BZX85B82TA

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BZX85B82TA 技術參數

BZX85B7V5-TR 功能描述:Zener Diode 7.5V 1.3W ±2% Through Hole DO-41 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:汽車級，AEC-Q101 包裝:帶卷（TR）零件狀態:有效電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:7.5V 容差:±2% 功率 - 最大值:1.3W 阻抗（最大值）（Zzt）:3 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:1μA @ 4.5V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:- 工作溫度:-55°C ~ 175°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AL，DO-41，軸向供應商器件封裝:DO-41 標準包裝:5,000 BZX85B7V5-TAP 功能描述:Zener Diode 7.5V 1.3W ±2% Through Hole DO-41 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:汽車級，AEC-Q101 包裝:帶盒（TB）零件狀態:有效電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:7.5V 容差:±2% 功率 - 最大值:1.3W 阻抗（最大值）（Zzt）:3 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:1μA @ 4.5V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:- 工作溫度:-55°C ~ 175°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AL，DO-41，軸向供應商器件封裝:DO-41 標準包裝:5,000 BZX85B75-TR 功能描述:Zener Diode 75V 1.3W ±2% Through Hole DO-41 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:汽車級，AEC-Q101 包裝:帶卷（TR）零件狀態:有效電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:75V 容差:±2% 功率 - 最大值:1.3W 阻抗（最大值）（Zzt）:135 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:500nA @ 56V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:- 工作溫度:-55°C ~ 175°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AL，DO-41，軸向供應商器件封裝:DO-41 標準包裝:5,000 BZX85B75-TAP 功能描述:Zener Diode 75V 1.3W ±2% Through Hole DO-41 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:汽車級，AEC-Q101 包裝:帶盒（TB）零件狀態:有效電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:75V 容差:±2% 功率 - 最大值:1.3W 阻抗（最大值）（Zzt）:135 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:500nA @ 56V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:- 工作溫度:-55°C ~ 175°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AL，DO-41，軸向供應商器件封裝:DO-41 標準包裝:5,000 BZX85B6V8-TR 功能描述:Zener Diode 6.8V 1.3W ±2% Through Hole DO-41 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:汽車級，AEC-Q101 包裝:帶卷（TR）零件狀態:有效電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:6.8V 容差:±2% 功率 - 最大值:1.3W 阻抗（最大值）（Zzt）:3.5 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:1μA @ 4V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:- 工作溫度:-55°C ~ 175°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AL，DO-41，軸向供應商器件封裝:DO-41 標準包裝:5,000 BZX85C10 A0G BZX85C10 R0G BZX85C10_T50R BZX85C100-TAP BZX85C100-TR BZX85C10-T50R BZX85C10-TAP BZX85C10-TR BZX85C11 BZX85C11 A0G BZX85C11 R0G BZX85C11_T50A BZX85C11_T50R BZX85C11-TAP BZX85C11-TR BZX85C12 BZX85C12 A0G BZX85C12 R0G