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BZX85B8V2D9

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BZX85B8V2D9 技術參數
  • BZX85B82-TR 功能描述:Zener Diode 82V 1.3W ±2% Through Hole DO-41 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:汽車級,AEC-Q101 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:有效 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):82V 容差:±2% 功率 - 最大值:1.3W 阻抗(最大值)(Zzt):200 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:500nA @ 62V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):- 工作溫度:175°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AL,DO-41,軸向 供應商器件封裝:DO-41 標準包裝:1 BZX85B82-TAP 功能描述:Zener Diode 82V 1.3W ±2% Through Hole DO-41 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:汽車級,AEC-Q101 包裝:帶盒(TB) 零件狀態:有效 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):82V 容差:±2% 功率 - 最大值:1.3W 阻抗(最大值)(Zzt):200 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:500nA @ 62V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):- 工作溫度:175°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AL,DO-41,軸向 供應商器件封裝:DO-41 標準包裝:5,000 BZX85B7V5-TR 功能描述:Zener Diode 7.5V 1.3W ±2% Through Hole DO-41 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:汽車級,AEC-Q101 包裝:帶卷(TR) 零件狀態:有效 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):7.5V 容差:±2% 功率 - 最大值:1.3W 阻抗(最大值)(Zzt):3 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:1μA @ 4.5V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):- 工作溫度:-55°C ~ 175°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AL,DO-41,軸向 供應商器件封裝:DO-41 標準包裝:5,000 BZX85B7V5-TAP 功能描述:Zener Diode 7.5V 1.3W ±2% Through Hole DO-41 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:汽車級,AEC-Q101 包裝:帶盒(TB) 零件狀態:有效 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):7.5V 容差:±2% 功率 - 最大值:1.3W 阻抗(最大值)(Zzt):3 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:1μA @ 4.5V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):- 工作溫度:-55°C ~ 175°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AL,DO-41,軸向 供應商器件封裝:DO-41 標準包裝:5,000 BZX85B75-TR 功能描述:Zener Diode 75V 1.3W ±2% Through Hole DO-41 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:汽車級,AEC-Q101 包裝:帶卷(TR) 零件狀態:有效 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):75V 容差:±2% 功率 - 最大值:1.3W 阻抗(最大值)(Zzt):135 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:500nA @ 56V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):- 工作溫度:-55°C ~ 175°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AL,DO-41,軸向 供應商器件封裝:DO-41 標準包裝:5,000 BZX85C10_T50R BZX85C100-TAP BZX85C100-TR BZX85C10-T50R BZX85C10-TAP BZX85C10-TR BZX85C11 BZX85C11 A0G BZX85C11 R0G BZX85C11_T50A BZX85C11_T50R BZX85C11-TAP BZX85C11-TR BZX85C12 BZX85C12 A0G BZX85C12 R0G BZX85C12_T50R BZX85C12-T50R
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