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BZX85C100RLRL2

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BZX85C100RLRL2 技術參數(shù)

BZX85C10_T50R 功能描述:Zener Diode 10V 1W ±5% Through Hole DO-41 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:10V 容差:±5% 功率 - 最大值:1W 阻抗（最大值）（Zzt）:7 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:500nA @ 7V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.2V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AL，DO-41，軸向供應商器件封裝:DO-41 標準包裝:1 BZX85C10 R0G 功能描述:DIODE ZENER 10V 1.3W DO204AL 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):在售電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:10V 容差:±5% 功率 - 最大值:1.3W 阻抗（最大值）（Zzt）:7 Ohms 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:500nA @ 7.5V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf:1.2V @ 10mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AL，DO-41，軸向供應商器件封裝:DO-204AL（DO-41）標準包裝:5,000 BZX85C10 A0G 功能描述:DIODE ZENER 10V 1.3W DO204AL 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包裝:帶盒（TB）零件狀態(tài):在售電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:10V 容差:±5% 功率 - 最大值:1.3W 阻抗（最大值）（Zzt）:7 Ohms 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:500nA @ 7.5V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf:1.2V @ 10mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AL，DO-41，軸向供應商器件封裝:DO-204AL（DO-41）標準包裝:3,000 BZX85C10 功能描述:Zener Diode 10V 1W ±5% Through Hole DO-41 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):有效電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:10V 容差:±5% 功率 - 最大值:1W 阻抗（最大值）（Zzt）:7 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:500nA @ 7V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.2V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AL，DO-41，軸向供應商器件封裝:DO-41 標準包裝:1,000 BZX85B9V1-TR 功能描述:Zener Diode 6.2V 1.3W ±2% Through Hole DO-41 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:汽車級，AEC-Q101 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):有效電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:6.2V 容差:±2% 功率 - 最大值:1.3W 阻抗（最大值）（Zzt）:4 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:1μA @ 6.8V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:- 工作溫度:-55°C ~ 175°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AL，DO-41，軸向供應商器件封裝:DO-41 標準包裝:5,000 BZX85C11_T50R BZX85C11-TAP BZX85C11-TR BZX85C12 BZX85C12 A0G BZX85C12 R0G BZX85C12_T50R BZX85C12-T50R BZX85C12-TAP BZX85C12-TR BZX85C13 BZX85C13 A0G BZX85C13 R0G BZX85C13_T50R BZX85C13-TAP BZX85C13-TR BZX85C15 BZX85C15 A0G