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BZX85C12.TR

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BZX85C12.TR PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準

BZX85C12.TR 技術參數

BZX85C12 R0G 功能描述:DIODE ZENER 12V 1.3W DO204AL 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態:在售電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:12V 容差:±5% 功率 - 最大值:1.3W 阻抗（最大值）（Zzt）:9 Ohms 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:500nA @ 9.1V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf:1.2V @ 10mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AL，DO-41，軸向供應商器件封裝:DO-204AL（DO-41）標準包裝:5,000 BZX85C12 A0G 功能描述:DIODE ZENER 12V 1.3W DO204AL 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包裝:帶盒（TB）零件狀態:在售電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:12V 容差:±5% 功率 - 最大值:1.3W 阻抗（最大值）（Zzt）:9 Ohms 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:500nA @ 9.1V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf:1.2V @ 10mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AL，DO-41，軸向供應商器件封裝:DO-204AL（DO-41）標準包裝:3,000 BZX85C12 功能描述:Zener Diode 12V 1W ±5% Through Hole DO-41 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:12V 容差:±5% 功率 - 最大值:1W 阻抗（最大值）（Zzt）:9 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:500nA @ 8.4V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.2V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AL，DO-41，軸向供應商器件封裝:DO-41 標準包裝:1,000 BZX85C11-TR 功能描述:Zener Diode 11V 1.3W ±5% Through Hole DO-41 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:汽車級，AEC-Q101 包裝:帶卷（TR）零件狀態:有效電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:11V 容差:±5% 功率 - 最大值:1.3W 阻抗（最大值）（Zzt）:8 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:500nA @ 7.5V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:- 工作溫度:-55°C ~ 175°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AL，DO-41，軸向供應商器件封裝:DO-41 標準包裝:5,000 BZX85C11-TAP 功能描述:Zener Diode 11V 1.3W ±5% Through Hole DO-41 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:汽車級，AEC-Q101 包裝:帶盒（TB）零件狀態:有效電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:11V 容差:±5% 功率 - 最大值:1.3W 阻抗（最大值）（Zzt）:8 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:500nA @ 7.5V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:- 工作溫度:-55°C ~ 175°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AL，DO-41，軸向供應商器件封裝:DO-41 標準包裝:5,000 BZX85C13-TR BZX85C15 BZX85C15 A0G BZX85C15 R0G BZX85C15_T50A BZX85C15_T50R BZX85C15-T50A BZX85C15-T50R BZX85C15-TAP BZX85C15-TR BZX85C16 BZX85C16 A0G BZX85C16 R0G BZX85C16_T50R BZX85C16-TAP BZX85C16-TR BZX85C18 BZX85C18 A0G