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BZX85C18CECCL

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BZX85C18CECCL 技術參數
  • BZX85C18_T50R 功能描述:Zener Diode 18V 1W ±6% Through Hole DO-41 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:有效 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):18V 容差:±6% 功率 - 最大值:1W 阻抗(最大值)(Zzt):20 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:500nA @ 12.5V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.2V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AL,DO-41,軸向 供應商器件封裝:DO-41 標準包裝:1 BZX85C18_T50A 功能描述:Zener Diode 18V 1W ±6% Through Hole DO-41 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:有效 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):18V 容差:±6% 功率 - 最大值:1W 阻抗(最大值)(Zzt):20 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:500nA @ 12.5V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.2V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AL,DO-41,軸向 供應商器件封裝:DO-41 標準包裝:1 BZX85C18_S62Z 功能描述:DIODE ZENER 1W 18V 5% DO-41 制造商:on semiconductor 系列:- 零件狀態:停產 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):17.95V 容差:±5% 功率 - 最大值:1W 阻抗(最大值)(Zzt):20 Ohms 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:500nA @ 12.5V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf:1.2V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AL,DO-41,軸向 供應商器件封裝:DO-204AL(DO-41) 標準包裝:1,000 BZX85C18 R0G 功能描述:DIODE ZENER 18V 1.3W DO204AL 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態:在售 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):18V 容差:±5% 功率 - 最大值:1.3W 阻抗(最大值)(Zzt):20 Ohms 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:500nA @ 13V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf:1.2V @ 10mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AL,DO-41,軸向 供應商器件封裝:DO-204AL(DO-41) 標準包裝:5,000 BZX85C18 A0G 功能描述:DIODE ZENER 18V 1.3W DO204AL 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包裝:帶盒(TB) 零件狀態:在售 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):18V 容差:±5% 功率 - 最大值:1.3W 阻抗(最大值)(Zzt):20 Ohms 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:500nA @ 13V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf:1.2V @ 10mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AL,DO-41,軸向 供應商器件封裝:DO-204AL(DO-41) 標準包裝:3,000 BZX85-C200 BZX85C20-TAP BZX85C20-TR BZX85C22 BZX85C22 A0G BZX85C22 R0G BZX85C22_T50A BZX85C22_T50R BZX85C22-TAP BZX85C22-TR BZX85C24 BZX85C24 A0G BZX85C24 R0G BZX85C24_T50A BZX85C24_T50R BZX85C24-T50R BZX85C24-TAP BZX85C24-TR
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