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BZX85C18TAP

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    BZX85C18TAP

    BZX85C18TAP

  • 北京耐芯威科技有限公司
    北京耐芯威科技有限公司

    聯系人:劉先生

    電話:010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址:北京市海淀區中關村大街32號和盛嘉業大廈10層1009室

    資質:營業執照

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  • 假一罰十,百分百原裝正品

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BZX85C18TAP 技術參數
  • BZX85C18-T50R 功能描述:DIODE ZENER 18V 1W DO41 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:在售 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):18V 容差:±6% 功率 - 最大值:1W 阻抗(最大值)(Zzt):20 Ohms 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:500nA @ 12.5V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf:1.2V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AL,DO-41,軸向 供應商器件封裝:DO-41 基本零件編號:BZX85C18 標準包裝:1 BZX85C18-T50A 功能描述:DIODE ZENER 18V 1W DO41 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:Digi-Key 停止供應 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):18V 容差:±6% 功率 - 最大值:1W 阻抗(最大值)(Zzt):20 Ohms 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:500nA @ 12.5V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf:1.2V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AL,DO-41,軸向 供應商器件封裝:DO-41 基本零件編號:BZX85C18 標準包裝:1 BZX85C18_T50R 功能描述:Zener Diode 18V 1W ±6% Through Hole DO-41 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:有效 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):18V 容差:±6% 功率 - 最大值:1W 阻抗(最大值)(Zzt):20 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:500nA @ 12.5V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.2V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AL,DO-41,軸向 供應商器件封裝:DO-41 標準包裝:1 BZX85C18_T50A 功能描述:Zener Diode 18V 1W ±6% Through Hole DO-41 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:有效 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):18V 容差:±6% 功率 - 最大值:1W 阻抗(最大值)(Zzt):20 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:500nA @ 12.5V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.2V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AL,DO-41,軸向 供應商器件封裝:DO-41 標準包裝:1 BZX85C18_S62Z 功能描述:DIODE ZENER 1W 18V 5% DO-41 制造商:on semiconductor 系列:- 零件狀態:停產 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):17.95V 容差:±5% 功率 - 最大值:1W 阻抗(最大值)(Zzt):20 Ohms 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:500nA @ 12.5V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf:1.2V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AL,DO-41,軸向 供應商器件封裝:DO-204AL(DO-41) 標準包裝:1,000 BZX85C20-TR BZX85C22 BZX85C22 A0G BZX85C22 R0G BZX85C22_T50A BZX85C22_T50R BZX85C22-TAP BZX85C22-TR BZX85C24 BZX85C24 A0G BZX85C24 R0G BZX85C24_T50A BZX85C24_T50R BZX85C24-T50R BZX85C24-TAP BZX85C24-TR BZX85C27 A0G BZX85C27 R0G
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