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BZX85C3V6A/NBP

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    BZX85C3V6A/NBP

    BZX85C3V6A/NBP

  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯系人:唐先生

    電話:0755-8322569219129381337(微信同號)

    地址:廣東省深圳市福田區上步工業區201棟316室。

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BZX85C3V6A/NBP 技術參數
  • BZX85C3V6_T50R 功能描述:Zener Diode 3.6V 1W ±6% Through Hole DO-41 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態:過期 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):3.6V 容差:±6% 功率 - 最大值:1W 阻抗(最大值)(Zzt):15 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:30μA @ 1V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.2V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AL,DO-41,軸向 供應商器件封裝:DO-41 標準包裝:6,000 BZX85C3V6_T50A 功能描述:Zener Diode 3.6V 1W ±6% Through Hole DO-41 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:帶盒(TB) 零件狀態:過期 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):3.6V 容差:±6% 功率 - 最大值:1W 阻抗(最大值)(Zzt):15 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:30μA @ 1V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.2V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AL,DO-41,軸向 供應商器件封裝:DO-41 標準包裝:3,000 BZX85C3V6 R0G 功能描述:DIODE ZENER 3.6V 1.3W DO204AL 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態:在售 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):3.6V 容差:±5% 功率 - 最大值:1.3W 阻抗(最大值)(Zzt):20 Ohms 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:20μA @ 1V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf:1.2V @ 10mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AL,DO-41,軸向 供應商器件封裝:DO-204AL(DO-41) 標準包裝:5,000 BZX85C3V6 A0G 功能描述:DIODE ZENER 3.6V 1.3W DO204AL 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包裝:帶盒(TB) 零件狀態:在售 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):3.6V 容差:±5% 功率 - 最大值:1.3W 阻抗(最大值)(Zzt):20 Ohms 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:20μA @ 1V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf:1.2V @ 10mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AL,DO-41,軸向 供應商器件封裝:DO-204AL(DO-41) 標準包裝:3,000 BZX85C3V6 功能描述:Zener Diode 3.6V 1W ±6% Through Hole DO-41 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:有效 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):3.6V 容差:±6% 功率 - 最大值:1W 阻抗(最大值)(Zzt):15 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:30μA @ 1V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.2V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AL,DO-41,軸向 供應商器件封裝:DO-41 標準包裝:1,000 BZX85C3V9-TR BZX85C43 BZX85C43 A0G BZX85C43 R0G BZX85C43_T50A BZX85C43_T50R BZX85C43-TAP BZX85C43-TR BZX85C47 BZX85C47 A0G BZX85C47 R0G BZX85C47_T50A BZX85C47_T50R BZX85C47-TAP BZX85C47-TR BZX85C4V3 BZX85C4V3 A0G BZX85C4V3 R0G
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