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BZX85C3V9T/R

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    BZX85C3V9T/R

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  • 深圳市中平科技有限公司
    深圳市中平科技有限公司

    聯系人:賴先生

    電話:0755-8394638513632637322

    地址:深圳市福田區深南中路2070號電子科技大廈A座27樓2702號

    資質:營業執照

  • 20000

  • EIC

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  • 2024+

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BZX85C3V9T/R 技術參數
  • BZX85C3V9_T50R 功能描述:Zener Diode 3.9V 1W ±5% Through Hole DO-41 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態:過期 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):3.9V 容差:±5% 功率 - 最大值:1W 阻抗(最大值)(Zzt):15 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 1V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.2V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AL,DO-41,軸向 供應商器件封裝:DO-41 標準包裝:6,000 BZX85C3V9_T50A 功能描述:Zener Diode 3.9V 1W ±5% Through Hole DO-41 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:帶盒(TB) 零件狀態:過期 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):3.9V 容差:±5% 功率 - 最大值:1W 阻抗(最大值)(Zzt):15 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 1V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.2V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AL,DO-41,軸向 供應商器件封裝:DO-41 標準包裝:3,000 BZX85C3V9 R0G 功能描述:DIODE ZENER 3.9V 1.3W DO204AL 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態:在售 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):3.9V 容差:±5% 功率 - 最大值:1.3W 阻抗(最大值)(Zzt):15 Ohms 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:20μA @ 1V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf:1.2V @ 10mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AL,DO-41,軸向 供應商器件封裝:DO-204AL(DO-41) 標準包裝:5,000 BZX85C3V9 A0G 功能描述:DIODE ZENER 3.9V 1.3W DO204AL 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包裝:帶盒(TB) 零件狀態:在售 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):3.9V 容差:±5% 功率 - 最大值:1.3W 阻抗(最大值)(Zzt):15 Ohms 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:20μA @ 1V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf:1.2V @ 10mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AL,DO-41,軸向 供應商器件封裝:DO-204AL(DO-41) 標準包裝:3,000 BZX85C3V9 功能描述:Zener Diode 3.9V 1W ±5% Through Hole DO-41 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:有效 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):3.9V 容差:±5% 功率 - 最大值:1W 阻抗(最大值)(Zzt):15 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 1V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.2V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AL,DO-41,軸向 供應商器件封裝:DO-41 標準包裝:1,000 BZX85C43-TR BZX85C47 BZX85C47 A0G BZX85C47 R0G BZX85C47_T50A BZX85C47_T50R BZX85C47-TAP BZX85C47-TR BZX85C4V3 BZX85C4V3 A0G BZX85C4V3 R0G BZX85C4V3_T50A BZX85C4V3_T50R BZX85C4V3-TAP BZX85C4V3-TR BZX85C4V7 BZX85C4V7 A0G BZX85C4V7 R0G
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