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BZX884-B11315

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BZX884-B11315 技術(shù)參數(shù)

BZX884-B11,315 功能描述:DIODE ZENER 11V 250MW SOD882 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):在售電壓 - 齊納（標(biāo)稱值）（Vz）:11V 容差:±2% 功率 - 最大值:250mW 阻抗（最大值）（Zzt）:10 Ohms 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 8V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf:900mV @ 10mA 工作溫度:-65°C ~ 150°C 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SOD-882 供應(yīng)商器件封裝:DFN1006-2 基本零件編號:BZX884B11 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BZX884-B10,315 功能描述:DIODE ZENER 10V 250MW SOD882 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):在售電壓 - 齊納（標(biāo)稱值）（Vz）:10V 容差:±2% 功率 - 最大值:250mW 阻抗（最大值）（Zzt）:10 Ohms 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:200nA @ 7V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf:900mV @ 10mA 工作溫度:-65°C ~ 150°C 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SOD-882 供應(yīng)商器件封裝:DFN1006-2 基本零件編號:BZX884B10 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BZX85C9V1-TR 功能描述:Zener Diode 9.1V 1.3W ±5% Through Hole DO-41 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:汽車級，AEC-Q101 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):有效電壓 - 齊納（標(biāo)稱值）（Vz）:9.1V 容差:±5% 功率 - 最大值:1.3W 阻抗（最大值）（Zzt）:5 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:1μA @ 6.8V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:- 工作溫度:-55°C ~ 175°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AL，DO-41，軸向供應(yīng)商器件封裝:DO-41 標(biāo)準(zhǔn)包裝:5,000 BZX85C9V1-TAP 功能描述:Zener Diode 9.1V 1.3W ±5% Through Hole DO-41 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:汽車級，AEC-Q101 包裝:帶盒（TB）零件狀態(tài):有效電壓 - 齊納（標(biāo)稱值）（Vz）:9.1V 容差:±5% 功率 - 最大值:1.3W 阻抗（最大值）（Zzt）:5 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:1μA @ 6.8V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:- 工作溫度:-55°C ~ 175°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AL，DO-41，軸向供應(yīng)商器件封裝:DO-41 標(biāo)準(zhǔn)包裝:5,000 BZX85C9V1_T50R 功能描述:Zener Diode 9.1V 1W ±6% Through Hole DO-41 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):過期電壓 - 齊納（標(biāo)稱值）（Vz）:9.1V 容差:±6% 功率 - 最大值:1W 阻抗（最大值）（Zzt）:5 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:1μA @ 6.5V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.2V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AL，DO-41，軸向供應(yīng)商器件封裝:DO-41 標(biāo)準(zhǔn)包裝:6,000 BZX884-B2V4,315 BZX884-B2V7,315 BZX884-B30,315 BZX884-B33,315 BZX884-B36,315 BZX884-B39,315 BZX884-B3V0,315 BZX884-B3V3,315 BZX884-B3V6,315 BZX884-B3V9,315 BZX884-B43,315 BZX884-B47,315 BZX884-B4V3,315 BZX884-B4V7,315 BZX884-B51,315 BZX884-B56,315 BZX884-B5V1,315 BZX884-B5V6,315