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C2M0160120D

配單專家企業名單
  • 型號
  • 供應商
  • 數量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號
  • 價格
  • 說明
  • 操作
  • C2M0160120D
    C2M0160120D

    C2M0160120D

    優勢
  • 北京力通科信電子有限公司
    北京力通科信電子有限公司

    聯系人:韓小姐

    電話:13661385246

    地址:北京市海淀區知春路118號知春大廈B座1504室,新中發電子市場B1303-b1305柜臺

  • 2500

  • 原廠

  • SMD

  • 18+

  • -
  • 公司現貨原裝庫存,13661385246

  • C2M0160120D
    C2M0160120D

    C2M0160120D

  • 無錫固電半導體股份有限公司
    無錫固電半導體股份有限公司

    聯系人:張小姐

    電話:15961889150

    地址:江蘇省無錫市新區新梅路68號

    資質:營業執照

  • 1000

  • isc/固電半導體

  • TO-247

  • 25+

  • -
  • 國產品牌,替代進口

  • C2M0160120D
    C2M0160120D

    C2M0160120D

  • 北京天陽誠業科貿有限公司
    北京天陽誠業科貿有限公司

    聯系人:洪先生

    電話:17862669251

    地址:北京市海淀區安寧莊西路9號院29號樓金泰富地大廈503

    資質:營業執照

  • 0

  • CREE

  • con

  • 24+

  • -
  • 電子元件

  • C2M0160120D
    C2M0160120D

    C2M0160120D

  • 北京耐芯威科技有限公司
    北京耐芯威科技有限公司

    聯系人:劉先生

    電話:010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址:北京市海淀區中關村大街32號和盛嘉業大廈10層1009室

    資質:營業執照

  • 0

  • 原廠封裝

  • 10000

  • 16+/17+

  • -
  • 百分百原裝正品假一賠十 電話010-62...

  • 1/1頁 40條/頁 共26條 
  • 1
C2M0160120D PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實際PDF為準
  • 制造商
  • Cree
  • 功能描述
  • 制造商
  • Cree
  • 功能描述
  • SIC MOSFET N-CH 1.2KV 17.7A
  • 制造商
  • Cree
  • 功能描述
  • SIC MOSFET, N-CH, 1.2KV, 17.7A, TO-247-3
  • 制造商
  • Cree
  • 功能描述
  • SILICON CARBIDE POWER TRANSISTORS/MODULES
C2M0160120D 技術參數
  • C2M0080120D 功能描述:MOSFET N-CH 1200V 31.6A TO247 制造商:cree/wolfspeed 系列:C2M? 包裝:散裝 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:碳化硅 (SiC) 漏源極電壓(Vdss):1200V(1.2kV) 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):36A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):98 毫歐 @ 20A,20V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 5mA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):62nC @ 5V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):950pF @ 1000V 功率 - 最大值:192W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應商器件封裝:TO-247-3 標準包裝:30 C2M0045170D 功能描述:MOSFET NCH 1.7KV 72A TO247 制造商:cree/wolfspeed 系列:C2M? 包裝:管件 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:碳化硅 (SiC) 漏源極電壓(Vdss):1700V(1.7kV) 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):72A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):70 毫歐 @ 50A,20V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 18mA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):188nC @ 20V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):3672pF @ 1kV 功率 - 最大值:520W 工作溫度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應商器件封裝:TO-247-3 標準包裝:30 C2M0040120D 功能描述:MOSFET N-CH 1200V 60A TO-247 制造商:cree/wolfspeed 系列:Z-FET?? 包裝:管件 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:碳化硅 (SiC) 漏源極電壓(Vdss):1200V(1.2kV) 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):60A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):52 毫歐 @ 40A,20V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2.8V @ 10mA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):115nC @ 20V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):1893pF @ 1000V 功率 - 最大值:330W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應商器件封裝:TO-247-3 標準包裝:30 C2M0025120D 功能描述:MOSFET N-CH 1200V 90A TO-247 制造商:cree/wolfspeed 系列:Z-FET?? 包裝:管件 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:碳化硅 (SiC) 漏源極電壓(Vdss):1200V(1.2kV) 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):90A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):34 毫歐 @ 50A,20V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2.4V @ 10mA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):161nC @ 20V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):2788pF @ 1000V 功率 - 最大值:463W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應商器件封裝:TO-247-3 標準包裝:30 C2LG6-F 功能描述:DUCT COVER W/PROTECTIVE FILM 6' 制造商:panduit corp 系列:PANDUCT? C 型 零件狀態:有效 配件類型:外蓋 - 線槽,咬接式,帶保護膜 配套使用產品/相關產品:Panduit 線槽- 開槽式,實心式和圓孔式 - D2X,E2X,F2X,FS2X,G2X 和 S2X 高度:0.350"(8.89mm) 寬度:2.250"(57.15mm) 長度:6.00'(1.83m) 顏色:淺灰 標準包裝:1 C2PC,BK C2PC,GY C2PXG-1406G C2PXG-1406M C2PXG-1418G C2PXG-1418M C2PXG-1436G C2PXG-1436M C2PXG-1606G C2PXG-1606M C2PXG-1618G C2PXG-1618M C2PXG-1636G C2PXG-1636M C2PXG-2406G C2PXG-2406M C2PXG-2418G C2PXG-2418M
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