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CBR04C749D3GAC

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CBR04C749D3GAC 技術參數
  • CBR04C749B5GAC 功能描述:CAP CER RF 7.4PF 50V +/-0.1 PF C 制造商:kemet 系列:HiQ-CBR 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:在售 電容:7.4pF 容差:±0.1pF 電壓 - 額定:50V 溫度系數:C0G,NP0 工作溫度:-55°C ~ 125°C 特性:高 Q 值,低損耗,超低 ESR 等級:- 應用:RF,微波,高頻 故障率:- 安裝類型:表面貼裝,MLCC 封裝/外殼:0402(1005 公制) 大小/尺寸:0.039" 長 x 0.020" 寬(1.00mm x 0.50mm) 高度 - 安裝(最大值):- 厚度(最大值):0.022"(0.55mm) 引線間距:- 引線形式:- 標準包裝:1 CBR04C739B5GAC 功能描述:CAP CER RF 7.3PF 50V +/-0.1 PF C 制造商:kemet 系列:HiQ-CBR 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:在售 電容:7.3pF 容差:±0.1pF 電壓 - 額定:50V 溫度系數:C0G,NP0 工作溫度:-55°C ~ 125°C 特性:高 Q 值,低損耗,超低 ESR 等級:- 應用:RF,微波,高頻 故障率:- 安裝類型:表面貼裝,MLCC 封裝/外殼:0402(1005 公制) 大小/尺寸:0.039" 長 x 0.020" 寬(1.00mm x 0.50mm) 高度 - 安裝(最大值):- 厚度(最大值):0.022"(0.55mm) 引線間距:- 引線形式:- 標準包裝:1 CBR04C729B5GAC 功能描述:CAP CER RF 7.2PF 50V +/-0.1 PF C 制造商:kemet 系列:HiQ-CBR 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:在售 電容:7.2pF 容差:±0.1pF 電壓 - 額定:50V 溫度系數:C0G,NP0 工作溫度:-55°C ~ 125°C 特性:高 Q 值,低損耗,超低 ESR 等級:- 應用:RF,微波,高頻 故障率:- 安裝類型:表面貼裝,MLCC 封裝/外殼:0402(1005 公制) 大小/尺寸:0.039" 長 x 0.020" 寬(1.00mm x 0.50mm) 高度 - 安裝(最大值):- 厚度(最大值):0.022"(0.55mm) 引線間距:- 引線形式:- 標準包裝:1 CBR04C719B5GAC 功能描述:CAP CER RF 7.1PF 50V +/-0.1 PF C 制造商:kemet 系列:HiQ-CBR 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:在售 電容:7.1pF 容差:±0.1pF 電壓 - 額定:50V 溫度系數:C0G,NP0 工作溫度:-55°C ~ 125°C 特性:高 Q 值,低損耗,超低 ESR 等級:- 應用:RF,微波,高頻 故障率:- 安裝類型:表面貼裝,MLCC 封裝/外殼:0402(1005 公制) 大小/尺寸:0.039" 長 x 0.020" 寬(1.00mm x 0.50mm) 高度 - 安裝(最大值):- 厚度(最大值):0.022"(0.55mm) 引線間距:- 引線形式:- 標準包裝:1 CBR04C719B2GAC 功能描述:CAP CER 7.1PF 200V .1PF% COG 040 制造商:kemet 系列:HiQ-CBR 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:在售 電容:7.1pF 容差:±0.1pF 電壓 - 額定:200V 溫度系數:C0G,NP0 工作溫度:-55°C ~ 125°C 特性:高 Q 值,低損耗,超低 ESR 等級:- 應用:RF,微波,高頻 故障率:- 安裝類型:表面貼裝,MLCC 封裝/外殼:0402(1005 公制) 大小/尺寸:0.039" 長 x 0.020" 寬(1.00mm x 0.50mm) 高度 - 安裝(最大值):- 厚度(最大值):0.022"(0.55mm) 引線間距:- 引線形式:- 標準包裝:1 CBR04C808B1GAC CBR04C808B5GAC CBR04C808C1GAC CBR04C808C5GAC CBR04C809B1GAC CBR04C809B5GAC CBR04C809C1GAC CBR04C809C5GAC CBR04C809D1GAC CBR04C809D5GAC CBR04C819B2GAC CBR04C819B5GAC CBR04C820F3GAC CBR04C829B1GAC CBR04C829B5GAC CBR04C829C1GAC CBR04C829C5GAC CBR04C829D1GAC
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