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參數資料
| 型號： | 2SA1832Y |
| 英文描述： | TRANSISTOR | BJT | PNP | 50V V(BR)CEO | 150MA I(C) | SOT-416 |
| 中文描述： | 晶體管|晶體管|進步黨| 50V五（巴西）總裁| 150毫安一（c）|的SOT - 416 |
| 文件頁數： | 1/3頁 |
| 文件大小： | 237K |
| 代理商： | 2SA1832Y |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SA1834F5 | 5-Pin µP Supervisory Circuits with Watchdog and Manual Reset |
| 2SA1834F5Q | TRANSISTOR | BJT | PNP | 20V V(BR)CEO | 10A I(C) | TO-252 |
| 2SA1834F5R | 5-Pin µP Supervisory Circuits with Watchdog and Manual Reset |
| 2SA1834F5S | TRANSISTOR | BJT | PNP | 20V V(BR)CEO | 10A I(C) | TO-252 |
| 2SA1834Q | 5-Pin µP Supervisory Circuits with Watchdog and Manual Reset |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| 2SA1832-Y(T5L,F,T) | 功能描述:兩極晶體管 - BJT -150mA -0.3V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SA1832Y(TE85L,F) | 制造商:Toshiba 功能描述:PNP |
| 2SA1832-Y,LF | 功能描述:TRANS PNP 50V 0.15A SSM 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態:停產 晶體管類型:PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:150mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:50V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:300mV @ 10mA，100mA 電流 - 集電極截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:120 @ 2mA，6V 功率 - 最大值:100mW 頻率 - 躍遷:80MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-75，SOT-416 供應商器件封裝:SSM 標準包裝:1 |
| 2SA1834TLR | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP 20V 10A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SA1834TLS | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP 20V 10A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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