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CEFB103G

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CEFB103G 技術參數

CEFB102-G 功能描述:Diode Standard 100V 1A Surface Mount DO-214AA (SMB) 制造商:comchip technology 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態:過期二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:100V 電流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:875mV @ 1A 速度:快速恢復 = 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:25ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 100V 不同?Vr，F 時的電容:- 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:DO-214AA，SMB 供應商器件封裝:DO-214AA（SMB）工作溫度 - 結:150°C（最大）標準包裝:3,000 CEFB101-G 功能描述:Diode Standard 50V 1A Surface Mount DO-214AA (SMB) 制造商:comchip technology 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態:過期二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:50V 電流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:875mV @ 1A 速度:快速恢復 = 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:25ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 50V 不同?Vr，F 時的電容:- 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:DO-214AA，SMB 供應商器件封裝:DO-214AA（SMB）工作溫度 - 結:150°C（最大）標準包裝:3,000 CEFA203-G 功能描述:DIODE GEN PURP 200V 2A DO214AC 制造商:comchip technology 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:過期二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:200V 電流 - 平均整流（Io）:2A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:920mV @ 2A 速度:快速恢復 = 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:25ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 200V 不同?Vr，F 時的電容:- 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:DO-214AC，SMA 供應商器件封裝:DO-214AC（SMA）工作溫度 - 結:150°C（最大）標準包裝:1 CEFA202-G 功能描述:DIODE GEN PURP 100V 2A DO214AC 制造商:comchip technology 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:過期二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:100V 電流 - 平均整流（Io）:2A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:920mV @ 2A 速度:快速恢復 = 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:25ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 100V 不同?Vr，F 時的電容:- 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:DO-214AC，SMA 供應商器件封裝:DO-214AC（SMA）工作溫度 - 結:150°C（最大）標準包裝:1 CEFA201-G 功能描述:Diode Standard 50V 2A Surface Mount DO-214AC (SMA) 制造商:comchip technology 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態:過期二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:50V 電流 - 平均整流（Io）:2A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:920mV @ 2A 速度:快速恢復 = 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:25ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 50V 不同?Vr，F 時的電容:- 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:DO-214AC，SMA 供應商器件封裝:DO-214AC（SMA）工作溫度 - 結:150°C（最大）標準包裝:5,000 CEFC304-G CEFC305-G CEFM101-G CEFM102-G CEFM103-G CEFM104-G CEFXEI-X CEFXIG-X CEFXIW-X CEFXWH-X CEG0.6100.151 CEG1-1-51-30.0-A-91-V CEG1-1-52-8.00-Q-91-V CEG1-1REC4-31861-1-V CEG1-1REC4-31968-1-V CEG1-1REC4-33399-03-V CEG1-1REC4-33399-05-V CEG1-1REC4-33399-06-V